[发明专利]一种双重曝光工艺

权利要求书

1.一种双重曝光工艺，其特征在于，包括：

提供一表面覆盖有待刻蚀薄膜的半导体衬底；

制备第一薄膜覆盖所述待刻蚀薄膜；

于所述第一薄膜上制备具有第一图形的光阻；

以所述光阻为掩膜刻蚀所述第一薄膜至所述待刻蚀薄膜的表面，以形成具有所述第一图形的第一硬掩膜；

沉积第二薄膜覆盖所述第一硬掩膜和所述光阻暴露的表面，且所述第二薄膜还将所述待刻蚀薄膜的表面予以覆盖；

去除覆盖所述光阻和部分覆盖所述待刻蚀薄膜表面的所述第二薄膜，以形成覆盖所述第一硬掩膜侧壁的具有第二图形的第二硬掩膜；

去除所述光阻，并以所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜为掩膜对所述待刻蚀薄膜进行第一次刻蚀工艺；

去除所述第一硬掩膜，并以所述第二硬掩膜为掩膜继续对所述待刻蚀薄膜进行第二次刻蚀工艺。

2.如权利要求1所述的双重曝光工艺，其特征在于，所述第一薄膜为APF薄膜。

3.如权利要求1所述的双重曝光工艺，其特征在于，所述第二薄膜为非晶硅薄膜。

4.如权利要求1所述的双重曝光工艺，其特征在于，所述工艺还包括：

于所述第二次刻蚀工艺后，对所述半导体衬底进行清洗工艺。