[发明专利]具有亮点缺陷的像素的修复方法、阵列基板及液晶面板

权利要求书

1.一种具有亮点缺陷的像素的修复方法，所述像素设置在开关区域(10a)及位于所述开关区域(10a)一侧的像素区域(10b)中；

所述像素包括：

在所述开关区域(10a)和所述像素区域(10b)中形成的连续的公共电极(130)；

在所述开关区域(10a)中形成的且位于所述公共电极(130)之上的薄膜晶体管；

在所述开关区域(10a)和所述像素区域(10b)形成的且覆盖薄膜晶体管的钝化层以及在位于所述开关区域(10a)中的所述钝化层中形成的过孔；

在所述像素区域(10b)和所述开关区域(10a)中形成的且位于所述钝化层之上的像素电极(113)；

其特征在于，所述修复方法包括：

在所述过孔中打点熔融，使所述像素电极(113)与所述薄膜晶体管的漏电极(112b)连接接触；

将所述连续的公共电极(130)切断分离，以使位于所述开关区域(10a)的公共电极(130)和位于所述像素区域(10b)的公共电极(130)彼此分离；

将位于所述公共电极(130)的切断分离处之上的像素电极(113)去除，且使位于所述开关区域(10a)的像素电极(113)和位于所述像素区域(10b)的像素电极(113)彼此连接，同时使剩余的像素电极(113)与所述漏电极(112b)连接，从而将所述具有亮点缺陷的像素形成为不具有存储电容器的像素。

2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，在所述过孔中打点熔融的具体方法为：利用激光在所述过孔中打点熔融，使所述像素电极(113)与所述薄膜晶体管的漏电极(112b)连接接触。

3.根据权利要求1或2所述的修复方法，其特征在于，所述公共电极(130)包括：位于所述开关区域(10a)的主体部(131)及由所述主体部(131)延伸到所述像素区域(10b)中的多条平行的延伸部(132)；

其中，将所述连续的公共电极(130)切断分离的具体方法为：利用激光在所述主体部(131)与各所述延伸部(132)的交汇处进行切割，以使所述主体部(131)与各所述延伸部(132)以及各所述延伸部(132)之间相互独立。

4.根据权利要求3所述的修复方法，其特征在于，将位于所述公共电极(130)的切断分离处之上的像素电极(113)去除的具体方法为：将位于所述主体部(131)与各所述延伸部(132)的交汇处之上的像素电极(113)去除。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括阵列排布的多个像素，所述像素设置在开关区域(10a)及位于开关区域(10a)一侧的像素区域(10b)中；

所述像素包括：

在所述开关区域(10a)和所述像素区域(10b)中形成的连续的公共电极(130)；

在所述开关区域(10a)中形成的且位于所述公共电极(130)之上的薄膜晶体管；

在所述开关区域(10a)和所述像素区域(10b)形成的且覆盖薄膜晶体管的钝化层以及在位于所述开关区域(10a)中的所述钝化层中形成的过孔；

在所述像素区域(10b)和所述开关区域(10a)中形成的且位于所述钝化层之上的像素电极(113)；

其中，所述阵列基板上的所述像素出现亮 点缺陷，对所述阵列基板上出现亮点缺陷的像素进行修复的方法包括：

在所述过孔中打点熔融，使所述像素电极(113)与所述薄膜晶体管的漏电极(112b)连接接触；

将所述连续的公共电极(130)切断分离，以使位于所述开关区域(10a)的公共电极(130)和位于所述像素区域(10b)的公共电极(130)彼此分离；

将位于所述公共电极(130)的切断分离处之上的像素电极(113)去除，且使位于所述开关区域(10a)的像素电极(113)和位于所述像素区域(10b)的像素电极(113)彼此连接，同时使剩余的像素电极(113)与所述漏电极(112b)连接，从而将所述具有亮点缺陷的像素形成为不具有存储电容器的像素。