[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体衬底上形成第一介电层；

在所述第一介电层中形成第一开口；

沿着所述第一介电层的顶面、所述第一开口的侧壁和所述第一开口的底部形成一个或多个晶种层；

在所述一个或多个晶种层上形成通孔，所述通孔延伸至所述第一开口内；

在所述第一介电层的第一表面上方放置半导体管芯，所述半导体管芯设置在所述通孔之间，其中，所述半导体管芯具有远离所述第一表面的管芯连接件；

邻近所述通孔和所述半导体管芯的侧壁形成模塑料；

平坦化所述模塑料，使得所述模塑料的顶面与所述通孔的顶面和所述管芯连接件的顶面共平面；

在平坦化所述模塑料之后，去除所述载体衬底；

去除所述一个或多个晶种层的至少部分以暴露出所述通孔的顶部；以及

去除所述第一介电层的部分以暴露出所述通孔的侧壁的部分。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一开口具有正锥形。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第一开口具有负锥形。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：在所述半导体管芯和所述通孔上形成再分布层。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述通孔的侧壁的部分的高度为1μm至5μm。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：在所述载体衬底上形成牺牲层，并且其中，所述第一介电层形成在所述牺牲层上。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括：在去除所述一个或多个晶种层的至少部分之前去除所述牺牲层。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成一个或多个晶种层；

在所述一个或多个晶种层上方形成通孔，所述一个或多个晶种层和所述通孔延伸穿过所述第一介电层；

在所述第一介电层上方放置集成电路管芯，其中，所述集成电路管芯设置在所述通孔之间；

在所述集成电路管芯和所述通孔之间形成密封剂；

平坦化所述密封剂，使得所述密封剂的顶面与所述通孔的顶面和所述集成电路管芯的顶面共平面；

在平坦化所述密封剂之后，去除所述衬底；以及

去除所述一个或多个晶种层的部分和所述第一介电层的部分以暴露出所述通孔的侧壁的部分。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，还包括：在所述通孔和所述集成电路管芯上方形成再分布层。

10.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述通孔包括具有第一宽度的第一主体部分和具有第二宽度的第二主体部分，所述第一主体部分延伸穿过所述密封剂和所述第二主体部分延伸穿过所述第一介电层，所述第二宽度不同于所述第一宽度。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二宽度小于所述第一宽度。

12.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二主体部分是锥形的。

13.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，去除所述一个或多个晶种层的部分和所述第一介电层的部分形成具有1μm至5μm的高度的所述通孔的突出部分。

14.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，还包括：在形成所述第一介电层之前形成牺牲层。