[发明专利]立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：

步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；

步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III-V族半导体纳米线，该金属催化剂颗粒位于III-V族半导体纳米线的顶端；

步骤(c)：在III-V族半导体纳米线的轴向上外延立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜，完成制备。

2.如权利要求1所述的立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，其中所述的半导体衬底的材料为Si、GaAs、GaSb、InAs、InSb、InP或GaP。

3.如权利要求1所述的立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，其中金属催化剂颗粒的材料为Au、Ag、Cu、Pd、Mn、Ga或Fe。

4.如权利要求1所述的立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，其中III-V族半导体纳米线的材料为InAs、GaAs、InP、GaP、InSb或GaSb。

5.如权利要求1所述的立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，其中立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜，所述立式是指锑化物半导体单晶薄膜与半导体衬底垂直或者倾斜。

6.如权利要求1所述的立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，其中III-V族锑化物半导体单晶薄膜的厚度为几个纳米到百纳米量级，长度和宽度均为纳米到微米及以上量级。

7.如权利要求6所述的立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，其中III-V族锑化物半导体单晶薄膜的材料为InAs_xSb_1-x、GaAs_xSb_1-x或AlAs_xSb_1-x(0≤x≤1)。

8.如权利要求1所述的立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，其中外延III-V族半导体纳米线和外延III-V族锑化物半导体单晶薄膜是采用分子束外延、金属有机化学气相沉积、化学气相沉积或化学束外延的方法。