[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种在具备由外部端子(12)和与该外部端子的连接部(40)连接的内部端子(11)构成的外部输出端子的半导体装置中，在切开该内部端子和端子连结部时，抑制了在内部端子下产生间隙的半导体装置及其制造方法。通过在内部端子(11)的前端(11a)附近形成与水平树脂部(14)相连的树脂固定部(18)，在切断内部端子(11)和端子连结部(21)时，能够抑制在内部端子(11)下方产生间隙。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

图20A和图20B为现有的IGBT模块900的结构图。图20A为俯视图。图20B为在图20A的X-X线位置剖切的截面图。在此，未显示上部的盖和填充于内部的凝胶。

IGBT模块900具备散热板51、在散热板51上以焊料52固定的绝缘基板53以及在绝缘基板53上以焊料54固定的半导体元件55。另外，具备在散热板51上以粘接剂56固定的插入端子壳体57、和固定于插入端子壳体57、半导体元件55以及绝缘基板53的键合线58。插入端子壳体57由树脂壳体59和外部输出端子60构成。外部输出端子60由内部端子61(内部引线)和与内部端子61呈直角地连接的外部端子62(外部引线)构成。树脂壳体59的内壁59a成为L状，树脂壳体59由上侧的垂直树脂部63(以下，仅称为垂直树脂部)和与之相连的水平树脂部64以及下侧的垂直树脂部65构成。外部端子62露出前端而被插入于垂直树脂部63，内部端子61以将表面露出的方式被埋设到形成于水平树脂部64的槽66。虽然优选内部端子61的前端61a和水平树脂部64的侧壁64a没有阶梯差而为平坦状态，但也可以有阶梯差。在该露出的内部端子61的表面61b通过超声波键合来接合成为布线的键合线58。另外，散热板51通过粘接剂56固定于下侧的垂直树脂部65。

插入端子壳体57是在金属模具配置引线框架70，通过注射模塑成型使引线框架70插入到树脂壳体59，并切掉不需要的端子连结部71而形成。该端子连结部71是连结内部端子61的部分。

图21A和图21B是示出从引线框架70切掉端子连结部71的状态的说明图。图21A和图21B是图20B的B部的放大图。图21A是切掉前的图。图21B是切掉后的图。

在上部支撑体85施加朝向下方的加压力F_P，通过上部支撑体85和下部支撑体87夹住引线框架70和水平树脂部64。接下来，使切割刀片86朝向上方在G方向移动，从引线框架70切掉从树脂壳体59和固定于引线框架70的树脂壳体59的水平树脂部64突出的端子连结部71。由于切割刀片86的定位是以水平树脂部64的侧壁64a为基准介由下部支撑体87而进行的，因此使系杆切割(tie-bar cut)的切割刀片86从下方向上方在G方向移动，与使之从上方向下方移动的情况相比，能够缩短内部端子61的前端61a(切断部位V)与水平树脂部64的侧壁64a之间的距离J1。进一步，优选以上部支撑体85按压平坦的内部端子61的表面61b。应予说明，将切断端子连结部的动作称为系杆切割。

另外，在专利文献1中记载了以下结构，即，在将键合线超声波接合到构成插入端子壳体的内部端子时，防止在使焊接器移动时牵拉键合线而使内部端子移动，或内部端子从树脂壳体向上翘起而引起超声波键合缺陷等的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-332179号公报

发明内容

技术问题