[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：

载置台，其用于载置被处理基板，设置为能够以轴线为中心进行旋转，以使得所述被处理基板在所述轴线的周围移动；

天线，其设于等离子体处理区域，该等离子体处理区域是利用所述载置台的旋转相对于所述轴线沿周向移动的所述被处理基板所依次通过的多个区域中的一个区域；以及

气体供给部，其用于向所述等离子体处理区域供给反应气体；

所述气体供给部具有：

内侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该内侧喷射口设置在比所述天线靠近所述轴线的位置，并向远离所述轴线的方向喷射反应气体；以及

外侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该外侧喷射口设置在比所述天线远离所述轴线的位置，并向靠近所述轴线的方向喷射被与从所述内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体，其中，

所述内侧喷射口和所述外侧喷射口在从所述轴线的方向观察时朝向设有所述天线的区域喷射反应气体，

其中，所述内侧喷射口将借助第一阀和第一流量控制部从气体供给源供给的反应气体朝向远离所述轴线的方向喷射，所述外侧喷射口将借助第二阀和第二流量控制部从所述气体供给源供给的反应气体朝向靠近所述轴线的方向，从所述内侧喷射口和所述外侧喷射口喷射的反应气体的流量由所述第一流量控制部和所述第二流量控制部分别独立地控制。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述内侧喷射口和所述外侧喷射口朝向与载置于所述载置台的所述被处理基板的面平行的方向喷射反应气体。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述气体供给部具有多个所述内侧喷射口和多个所述外侧喷射口。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述天线在所述等离子体处理区域内设有多个，

对于每个所述天线分别分配一个以上的所述内侧喷射口和一个以上的所述外侧喷射口，对于所述内侧喷射口和所述外侧喷射口，能够独立地控制对于每个所述天线喷射的反应气体的流量。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

该基板处理装置还具有沿着所述载置台的周缘设置、并从多个排气孔进行排气的排气区域，

所述多个排气孔在从所述轴线的方向观察时设置在与设有所述天线的角度的区域不同角度的区域内。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

所述排气区域沿着所述载置台的周缘设有多个。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，

来自各个所述排气区域的排气量相同。

8.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：

载置台，其用于载置被处理基板，设置为能够以轴线为中心进行旋转，以使得所述被处理基板在所述轴线的周围移动；

天线，其设于等离子体处理区域，该等离子体处理区域是利用所述载置台的旋转相对于所述轴线沿周向移动的所述被处理基板所依次通过的多个区域中的一个区域；以及

气体供给部，其用于向所述等离子体处理区域供给反应气体；

所述气体供给部具有：

内侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该内侧喷射口设置在比所述天线靠近所述轴线的位置，并向远离所述轴线的方向喷射反应气体；以及

外侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该外侧喷射口设置在比所述天线远离所述轴线的位置，并向靠近所述轴线的方向喷射被与从所述内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体，其中，

所述内侧喷射口和所述外侧喷射口朝向与载置于所述载置台的所述被处理基板的面平行的方向喷射反应气体，

其中，所述内侧喷射口将借助第一阀和第一流量控制部从气体供给源供给的反应气体朝向远离所述轴线的方向喷射，所述外侧喷射口将借助第二阀和第二流量控制部从所述气体供给源供给的反应气体朝向靠近所述轴线的方向，从所述内侧喷射口和所述外侧喷射口喷射的反应气体的流量由所述第一流量控制部和所述第二流量控制部分别独立地控制。