[发明专利]基板处理装置

说明书

本申请提供一种基板处理装置，包括：载置台，其用于载置基板(W)，并以轴线(X)为中心进行旋转；天线，其设于第1区域；以及反应气体供给部，其用于向第1区域供给反应气体。反应气体供给部具有内侧喷射口和外侧喷射口。内侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域靠近轴线(X)的位置，并向远离轴线(X)的方向喷射反应气体。外侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域远离轴线(X)的位置，并向靠近轴线(X)的方向喷射被与从内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体。

技术领域

本申请的各个方面和实施方式涉及基板处理装置。

背景技术

作为在基板上进行成膜的方法的一种，公知有等离子体增强原子层沉积(PE-ALD：Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)法。在PE－ALD法中，通过将基板暴露于前体气体中，从而使含有薄膜的构成元素的前体气体化学吸附在基板上。接着，通过将基板暴露于吹扫气体中，从而去除过度化学吸附在该基板上的前体气体。然后，通过将基板暴露于含有薄膜的构成元素的反应气体的等离子体中，从而在基板上形成期望的薄膜。在PE－ALD法中，通过重复这样的工序，从而在基板上生成含有前体气体所含的原子或分子的膜。

作为实现PE－ALD法的装置之一，公知有半间歇式的基板处理装置。在半间歇式的基板处理装置中，供给前体气体的区域和生成反应气体的等离子体的区域设置在处理室内的不同的区域，基板依次通过这些区域，从而在基板上生成期望的厚度的膜。

这种基板处理装置包括载置台、喷头以及等离子体生成部。载置台用于支承基板，并以旋转轴为中心进行旋转。喷头和等离子体生成部相对配置于载置台，并在周向上排列。喷头具有大致扇形的俯视形状，向通过下方的被处理基板供给前体气体。等离子体生成部通过从波导管向大致扇形的天线供给微波，向天线的区域供给反应气体，从而在天线的区域内生成反应气体的等离子体。在喷头的周围和等离子体生成部的周围设有排气口，在喷头的周缘设有供给吹扫气体的喷射口。参照国际公开第2013/122043号。

发明内容

本发明的基板装置包括：载置台，其用于载置被处理基板，设置为能够以轴线为中心进行旋转，以使得所述被处理基板在所述轴线的周围移动；天线，其设于等离子体处理区域，该等离子体处理区域是利用所述载置台的旋转相对于所述轴线沿周向移动的所述被处理基板所依次通过的多个区域中的一个区域；以及气体供给部，其用于向所述等离子体处理区域供给反应气体；所述气体供给部具有：内侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该内侧喷射口设置在所述天线和所述轴线之间，用于从比所述天线靠近所述轴线的位置向远离所述轴线的方向喷射反应气体；以及外侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该外侧喷射口设置在比所述天线远离所述轴线的位置，用于从比所述天线远离所述轴线的位置向靠近所述轴线的方向喷射被与从所述内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体。

上述技术方案仅是用于说明，在任意方式中都不是意在限制。除了上述说明的技术方案、实施例以及特征以外，追加的技术方案、实施例以及特征能够通过参照附图以及以下详细说明而变明确。

附图说明

图1是表示基板处理装置的一例的剖视图。

图2是表示从上方观察时的基板处理装置的一例的示意图。

图3是表示图1中的轴线X的左侧的部分的一例的放大剖视图。

图4是表示图1中的轴线X的左侧的部分的一例的放大剖视图。

图5是表示单元U的下表面的一例的图。

图6是表示图1中的轴线X的右侧的部分的一例的放大剖视图。

图7是表示从上方观察时的实施例1的基板处理装置的一例的示意图。

图8是表示实施例1中的基板处理装置的一例的剖视图。