[发明专利]光电装置以及其制造方法、电子设备有效
申请号: | 201510770982.7 | 申请日: | 2015-11-12 |
公开(公告)号: | CN105742314B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 腰原健 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种光电装置,其特征在于,
具备元件基板,该元件基板包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、以及在所述显示区域的外侧配置有端子的周边区域,
所述发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极,且所述第一电极与接触电极电连接的构造,
所述端子具有层叠有由与所述反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层、由与所述接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层、以及由与所述第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层的构造,所述反射电极对从所述发光层发光并透过了所述第一电极的光进行反射。
2.根据权利要求1所述的光电装置,其特征在于,
所述第三导电膜包括透明导电材料,
所述第二导电膜包括导电性比所述第三导电膜高的导电材料,
所述第一导电膜包括导电材料。
3.权利要求1所述的光电装置,其特征在于,
所述第三导电膜包括氧化铟锡,
所述第二导电膜包括氮化钛,
所述第一导电膜包括铝以及铜。
4.权利要求1~3中任一项所述的光电装置,其特征在于,
所述第一电极经由所述接触电极与所述反射电极电连接,
所述反射电极按照每个像素被分割地配置,并且与驱动所述发光元件的晶体管电连接。
5.权利要求1~3中任一项所述的光电装置,其特征在于,
所述反射电极由电源线的一部分构成,
在被形成于所述反射电极的开口的内侧配置中继电极,该中继电极与驱动所述发光元件的晶体管电连接,
所述第一电极经由所述接触电极与所述中继电极电连接。
6.一种电子设备,其特征在于,
具备权利要求1~5中任一项所述的光电装置。
7.一种光电装置的制造方法,其特征在于,
是如下的光电装置的制造方法,所述光电装置包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、以及在所述显示区域的外侧配置有端子的周边区域,所述发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极,且所述第一电极与接触电极电连接的构造,所述端子具有层叠有第一端子层、第二端子层、以及第三端子层的构造,所述反射电极对从所述发光层发光并透过了所述第一电极的光进行反射,所述光电装置的制造方法包括:
通过形成第一导电膜,并对所述第一导电膜进行图案形成,在所述显示区域形成所述反射电极,并在所述周边区域形成所述第一端子层的工序;
通过形成第二导电膜,并对所述第二导电膜进行图案形成,在所述显示区域形成所述接触电极,并在所述周边区域中在所述第一端子层上层叠所述第二端子层的工序;以及
通过形成第三导电膜,并对所述第三导电膜进行图案形成,在所述显示区域形成所述第一电极,并在所述周边区域中在所述第二端子层上层叠所述第三端子层的工序。
8.根据权利要求7所述的光电装置的制造方法,其特征在于,
所述第三导电膜包括透明导电材料,
所述第二导电膜包括导电性比所述第三导电膜高的导电材料,
所述第一导电膜包括反射导电材料。
9.根据权利要求8所述的光电装置的制造方法,其特征在于,
所述第三导电膜包括氧化铟锡,
所述第二导电膜包括氮化钛,
所述第一导电膜包括铝以及铜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的