[发明专利]光电装置以及其制造方法、电子设备有效
申请号: | 201510770982.7 | 申请日: | 2015-11-12 |
公开(公告)号: | CN105742314B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 腰原健 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
本发明提供一种光电装置,具备元件基板,该元件基板包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、以及在显示区域的外侧配置有端子的周边区域。发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极,且第一电极与接触电极电连接的构造。端子具有层叠有由与反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层、由与接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层、以及由与第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层的构造。
技术领域
本发明涉及光电装置以及其制造方法、电子设备。
背景技术
作为光电装置的一个例子,提出有使用有机电致发光(EL:Electro Luminescence(电致发光))元件的像素呈矩阵状地被配置于元件基板的显示区域的有机EL装置(例如,参照专利文献1。)。
具体而言,在专利文献1中公开了具有依次层叠有反射层、第一电极(像素电极)、发光层以及第二电极(对置电极)的有机EL元件的顶部发光构造的有机EL装置。
专利文献1:日本特开2010-198754号公报
然而,在专利文献1所记载的有机EL装置中,在显示区域的外侧的周边区域排列有包括用于安装数据线驱动电路、扫描线驱动电路等的安装端子、外部连接用端子等的多个端子。这些端子具有层叠了以与上述的反射层相同的工序成膜的铝(Al)等的反射导电材料、和以与第一电极相同的工序成膜的氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)等的透明导电材料的构造。
然而,在上述的直接层叠了反射导电材料和透明导电材料的情况下,端子中的接触电阻变得非常高。另外,有时也在反射导电材料与透明导电材料之间产生电解腐蚀。作为该对策,也考虑通过其他工序制成端子,但是由于工序数的增加会导致制造成本增加。
另一方面,在引用文献1中公开了在层叠了钛(或者氮化钛)、铝、以及钛(或者氮化钛)的布线层上层叠了ITO的端子。然而,在将与该布线层相同的材料用于反射层的情况下,存在反射层的反射率降低的可能性。
发明内容
本发明的一个方式是鉴于这样的现有的情况而提出的,其目的之一在于,提供一种能够防止反射电极的反射率降低,并且降低端子的电阻值的光电装置以及其制造方法、和具备这种光电装置的电子设备。
本发明的一个方式的光电装置具备元件基板,该元件基板包括呈矩阵状地排列有多个发光元件的显示区域、和在上述显示区域的外侧配置有端子的周边区域。发光元件具有层叠有反射电极、光学调整层、第一电极、发光层、以及第二电极,且第一电极与接触电极电连接的构造。端子具有层叠有由与反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层、由与接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层、以及由与第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层的构造。
根据该构成,通过在端子中,在由与反射电极相同的第一导电膜形成的第一端子层和由与第一电极相同的第三导电膜形成的第三端子层之间设置由与接触电极相同的第二导电膜形成的第二端子层,从而能够防止反射电极的反射率降低,并且降低端子的电阻值。
另外,在上述光电装置中,也可以是如下的构成,即,第三导电膜包括透明导电材料,第二导电膜包括导电性比第三导电膜高的导电材料,第一导电膜包括反射导电材料。
根据该构成,通过在端子中,在包括反射导电材料的第一导电膜与包括透明导电材料的第三导电膜之间设置包括导电性比第三导电膜高的导电材料的第二导电膜,从而与反射导电材料和透明导电材料被直接层叠的情况相比,能够降低端子的电阻值。另外,因为反射电极由包括反射导电材料的第一导电膜形成,所以能够防止该反射电极的反射率降低。
另外,在上述光电装置中,也可以是如下的构成,即,第三导电膜包括氧化铟锡,第二导电膜包括氮化钛,第一导电膜包括铝以及铜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的