[发明专利]半导体到金属的过渡

权利要求书

1.一种半导体器件（1），包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）；其中，所述第一半导体区（12）包含：

与所述第二半导体区（13）接触的过渡区（123），所述过渡区（123）具有第一浓度的所述第一电荷载流子；

与所述扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），所述接触区（121）具有第二浓度的所述第一电荷载流子，其中，所述第二浓度高于所述第一浓度；

在所述接触区（121）和所述过渡区（123）之间的损伤区（122），所述损伤区（122）被配置用于与所述接触区（121）和所述过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低所述损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。

2.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述接触区（121）掺杂有接触区掺杂材料，所述接触区掺杂材料包括硼和磷中的至少一种，其中，所述接触区掺杂材料建立所述第一电荷载流子在所述接触区（121）中的存在。

3.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述损伤区（122）掺杂有损伤区掺杂材料，所述损伤区掺杂材料包括锗、硅、碳、氦、氖、氩、氙和氪中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的半导体器件（1），其中，所述损伤区掺杂材料不被激活。

5.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述过渡区（123）和所述接触区（121）掺杂有相同的接触区掺杂材料，并且其中，所述过渡区（123）中包含的所述接触区掺杂材料建立所述第一电荷载流子在所述过渡区（123）中的存在。

6.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述扩散阻挡层（11）包括钛、钨、钛钨、氮化钛、镍、钽、氮化钽和钌中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体器件（1），进一步包括金属化层（31），所述金属化层（31）与所述扩散阻挡层（11）接触，并被配置用于通过外接触部（32）接触，其中，所述扩散阻挡层（11）设置在所述金属化层（31）和所述第一半导体区（12）之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件（1），其中，所述金属化层（31）包括铜、铝、铝铜、铝硅铜、钯、钼、镍、镍磷、银和金中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述第二半导体区（13）掺杂有第二半导体区掺杂材料，所述第二半导体区掺杂材料建立所述第二电荷载流子的存在。

10.根据权利要求9所述的半导体器件（1），其中，所述第二半导体区掺杂材料包括磷、砷和锑中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述损伤区（122）在由所述半导体器件（1）传导的负载电流的流动方向上呈现在50 nm到1000 nm的范围内的厚度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述接触区（121）在由所述半导体器件（1）传导的负载电流的流动方向上呈现在50 nm到1000 nm的范围内的厚度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述过渡区（123）在由所述半导体器件（1）传导的负载电流的流动方向上呈现在200 nm到10000 nm的范围内的厚度。

14.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，所述接触区（121）中的所述第一电荷载流子的第二浓度是所述过渡区（123）中的所述第一电荷载流子的第一浓度的至少50倍。