[发明专利]半导体到金属的过渡

说明书

本发明涉及半导体到金属的过渡。提出了一种半导体器件（1）。半导体器件（1）包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）。第一半导体区（12）包含：与第二半导体区（13）接触的过渡区（123），过渡区（123）具有第一浓度的第一电荷载流子；与扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），接触区（121）具有第二浓度的第一电荷载流子，其中，第二浓度高于第一浓度；在接触区（121）和过渡区（123）之间的损伤区（122），损伤区（122）被配置用于与接触区（121）和过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。

技术领域

本说明书涉及半导体器件的实施例并且涉及半导体部件到金属接触过渡的实施例，例如二极管、IGBT、MOSFET等的实施例以及涉及制造这样的产品的方法的实施例。具体地，本说明书涉及低电阻半导体部件到金属接触过渡的实施例并且涉及包括这样的低电阻半导体到金属接触过渡的半导体器件的实施例以及涉及制造这样的产品的方法的实施例。

背景技术

汽车、消费者和工业应用中的现代装置的许多功能（诸如转换电能以及驱动电动机或电机）依赖于半导体器件。例如，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和二极管已经用于各种应用，包含但不限于电源和功率转换器中的开关。

用在功率电子设备中的许多这样的半导体器件是二极管或包括二极管结构，诸如反向导通IGBT的二极管结构或MOSFET的内置体二极管。

通常，这样的二极管结构的阳极具有相对低的掺杂水平，即将发射极效率保持低，以便以有利于动态开关特性（诸如软恢复）的方式形成电荷载流子浓度。同时，有时期望确保阳极和例如正面金属化部之间的低欧姆接触，在给定阳极的低掺杂水平的情况下，这通常是有挑战的。

发明内容

根据实施例，提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括扩散阻挡层、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区和具有第二电荷载流子的第二半导体区。所述第一半导体区包含：与所述第二半导体区接触的过渡区，所述过渡区具有第一浓度的所述第一电荷载流子。所述第一半导体区进一步包含与所述扩散阻挡层接触的接触区，所述接触区具有第二浓度的所述第一电荷载流子，其中，所述第二浓度高于所述第一浓度。所述第一半导体区还包含在所述接触区和所述过渡区之间的损伤区，所述损伤区被配置用于与所述接触区和所述过渡区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低所述损伤区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。

根据进一步实施例，提供了半导体部件到金属接触的过渡。所述金属接触包括扩散阻挡层和金属化层，所述金属化层与所述扩散阻挡层接触，并被配置用于通过外接触部接触。所述金属化层被进一步配置用于经由所述外接触部接收负载电流，并将所接收的负载电流馈送到所述扩散阻挡层中。所述半导体部件包括：第一半导体区，具有第一导电类型的第一电荷载流子；以及第二半导体区，具有第二电荷载流子。所述第一半导体区包含与所述第二半导体区接触的过渡区，所述过渡区具有第一浓度的第一电荷载流子。所述第一半导体区还包含与所述扩散阻挡层接触的接触区，所述接触区具有第二浓度的所述第一电荷载流子，其中，所述第二浓度高于所述第一浓度。所述第一半导体区进一步包含在所述接触区和所述过渡区之间的损伤区，所述损伤区被配置用于与所述接触区和所述过渡区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低所述损伤区的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。