[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件（1）的方法，所述方法包括：

提供包括主表面（101）的半导体基底（199）和在相邻半导体台面（191、192）之间的沟槽（190）内的栅电极（150），其中，所述栅电极（150）通过各自的电介质层（200）与所述相邻半导体台面（191、192）电气地绝缘；

在所述相邻半导体台面（192）中的每个上形成各自的立柱（201、202），从而在所述沟槽（190）之上在所述立柱（201、202）之间留下开口（400）；

沿各自的立柱侧壁（251、252）在所述开口（400）中形成电介质接触间隔物（211、212）以收窄所述栅电极（150）之上的所述开口（400）；以及

在形成所述电介质接触间隔物（211、212）之后，形成与所述栅电极（150）具有界面（610）的导体（330），所述界面（610）沿所述栅电极（150）的延伸而延伸，其中，所述导体（330）具有比所述栅电极（150）的电导率更大的电导率；

在形成所述导体（330）之后移除每个所述相邻半导体台面（192）上的所述立柱（201，202），以暴露所述相邻半导体台面（191，192）的顶表面（196，197）；以及

沉积共形电介质层，所述共形电介质层接触所述相邻半导体台面（191，192）的暴露的顶表面（196，197）、所述电介质接触间隔物（211，212）和所述导体（330）。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述导体（330）之前，使用所述电介质间隔物（211、212）作为蚀刻掩模将凹陷（345）蚀刻到所述栅电极（150）的顶表面中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述立柱（201、202）在提供所述栅电极（150）之后被形成。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

形成电接触（315），所述电接触（315）关于所述相邻半导体台面（191、192）自对准，并且与所述相邻半导体台面（191、192）中的至少一个电气接触，其中，所述电气接触（315）与所述导体（330）绝缘。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在形成所述电接触（315）之前，掩蔽所述导体（330）之上的所述电介质接触间隔物（211、212）之间的区域。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，形成所述电接触（315）包括将导电材料沉积到所述半导体台面（191、192）中的至少一个的暴露的顶表面（196、197）上。

7.根据权利要求4或5所述的方法，其中，形成所述导体（330）使得所述导体（330）的顶表面（350）在所述电介质接触间隔物（211、212）之间的开口（400）中。

8.根据权利要求4或5所述的方法，其中，形成所述导体（330）使得所述导体（330）从所述主表面（101）之下延伸到所述主表面（101）之上。

9.根据权利要求4或5所述的方法，其中，在到所述主表面（101）上的法线投影中，所述导体（330）被形成在所述栅电极（150）内，其中，在所述法线投影中，在形成所述电介质接触间隔物（211、212）之后被收窄的开口（400）在所述栅电极（150）内。

10.根据权利要求4或5所述的方法，其中，形成所述导体（330）包括沉积形成所述导体（330）的材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述导体（330）还包括在沉积形成所述导体（330）的材料之后对形成所述导体（330）的材料的一部分进行蚀刻。

12.根据权利要求4或5所述的方法，其中，形成所述导体（330）包括形成金属、金属合金、金属氮化物、金属硅化物及其组合中的至少一个。