[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件

说明书

本发明涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括：提供具有主表面（101）的半导体基底（199）和在相邻半导体台面（191、192）之间的沟槽（190）内的栅电极（150）。栅电极（150）通过各自的电介质层与相邻半导体台面（191、192）绝缘。在相邻半导体台面（191、192）中的每个上形成各自的立柱（201、202），从而在沟槽（190）之上在立柱（201、202）之间留下开口（400）。沿各自的立柱侧壁在开口（400）中形成电介质接触间隔物（211、212）以收窄栅电极（150）之上的开口（400）。形成与栅电极（150）具有界面（610）的导体（330）。界面（610）沿栅电极（150）的延伸而延伸，并且导体（330）具有比栅电极（150）的电导率更大的电导率。

技术领域

本文中描述的实施例涉及包括栅电极诸如沟槽内的栅电极的半导体器件。进一步的实施例涉及用于制造这样的半导体器件的方法。

背景技术

设计能够在苛求条件下可靠执行的半导体器件是所期望的。半导体器件性能规格可以受特征尺寸影响。例如，晶体管尺寸的减小可以导致器件性能的折衷。例如，诸如栅电极的导电特征的收窄可以导致栅电阻的增大、欧姆损耗和/或特别当器件在高电流密度下操作时半导体器件不期望的变热。因此，存在对在允许微型化的同时维持或甚至提升器件性能规格的期望。

发明内容

根据一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包含：提供包括主表面的半导体基底和在相邻半导体台面之间的沟槽内的栅电极，其中，所述栅电极通过各自的电介质层与所述相邻半导体台面电气地绝缘；在所述相邻半导体台面的每个上形成各自的立柱，从而在所述沟槽上在所述立柱之间留下开口；沿各个立柱侧壁在所述开口中形成电介质接触间隔物以收窄所述栅电极之上的开口；以及，在形成所述电介质接触间隔物之后，形成与所述栅电极具有界面的导体，所述界面沿所述栅电极的延伸而延伸，其中，所述导体具有比所述栅电极的电导率更大的电导率。

根据一个实施例，一种半导体器件包含：包括主表面的半导体基底；栅电极，其当在垂直于所述主表面的横截面中观察时在相邻半导体台面之间的沟槽内，其中，所述栅电极通过各自的电介质层与所述相邻半导体台面电气地绝缘；导体；以及所述导体与所述栅电极的界面，所述界面沿所述栅电极延伸，其中，所述导体至少部分上被布置在相邻电介质接触间隔物之间，并且所述导体具有比所述栅电极的电导率更大的电导率。

通过阅读下面的详细说明书和通过观察附图，本领域的技术人员将认识到额外的特征和优点。

附图说明

附图中的部件不必成比例，替代地将重点放在图示本发明的原理上。此外，在附图中，相似的参考标号指定对应的部分。在附图中：

图1示出了根据本文中描述的实施例的半导体器件；

图2A到2I示出了根据本文中描述的实施例的用于制造半导体器件的方法。

图3示出了根据本文中描述的实施例的半导体器件。

具体实施方式

在下面的详细说明中，对附图进行参考，所述附图形成详细说明的一部分，并且在其中借助于图示示出了在其中可以实践本发明的特定实施例。在这点上，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”、“横向”、“纵向”等方向术语参考正被描述的（一个或多个）附图的定向来使用。因为实施例的部件可以以许多不同的定向来定位，所以方向术语用于图示的目的，并且决不是限制性的。应当理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以使用其它实施例并且可以做出结构和逻辑的改变。因此，下面的详细说明不应当在限制性意义上来理解，并且本发明的范围由所附权利要求定义。所描述的实施例使用特定语言，这不应当理解为限制所附权利要求的范围。