[发明专利]具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法在审
申请号: | 201510778719.2 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN105609528A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 尹净基;金正五;白正善;南敬真;金容玟 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 开口 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括:
基板,在该基板中限定了发光区域和非发光区域;
顺序地层压在所述非发光区域上的第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层;
栅极,该栅极叠置在所述半导体层的中心区域上,使栅绝缘层被插置在所述栅极 与所述半导体层之间;
漏极,该漏极与所述半导体层的一侧接触,使覆盖所述栅极的层间绝缘层被插置 在所述漏极与所述半导体层之间,并且所述漏极由第二透明导电层和层压在该第二透 明导电层上的金属层形成;
第一存储电容器电极,该第一存储电容器电极被布置在所述发光区域中的所述层 间绝缘层下方并且由所述第一透明导电层形成;以及
第二存储电容器电极,该第二存储电容器电极叠置在所述第一存储电容器电极 上,使所述层间绝缘层被插置在所述第二存储电容器电极与所述第一存储电容器电极 之间,并且所述第二存储电容器电极由所述第二透明导电层形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器还 包括:
源极,该源极与所述半导体层的另一侧接触,使所述层间绝缘层被插置在所述源 极与所述半导体层之间,所述源极由所述第二透明导电层和层压在所述第二透明导电 层上的所述金属层形成,并且被布置在与所述漏极相距预定距离处,
涂覆层,该涂覆层布置在所述源极、所述漏极和所述第二存储电容器电极上;以 及
阳极,该阳极布置在所述涂覆层上并且与所述漏极的一部分接触。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一透明导电层 和所述第一存储电容器电极由同一材料形成并且布置在同一级上。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,按照所述漏极的所述 第二透明导电层延伸至所述发光区域的方式来布置所述第二存储电容器电极。
5.一种制造有机发光二极管显示器的方法,该方法包括以下步骤:
分别利用第一透明导电材料、遮光材料、绝缘材料和半导体材料在基板的非发光 区域上形成第一透明导电层、遮光层、缓冲层和半导体层,并且利用所述第一透明导 电材料在所述基板的发光区域上形成第一存储电容器电极;
形成叠置在所述半导体层的中心区域上的栅极,使栅绝缘层被插置在所述栅极与 所述半导体层之间;
在上面形成有所述栅极的所述基板的整个表面上形成层间绝缘层;以及
在所述层间绝缘层上形成漏极、源极和第二存储电容器电极,其中,所述漏极与 所述半导体层的一侧接触并且由第二透明导电层和层压在该第二透明导电层上的金 属层形成,所述源极与所述半导体层的另一侧接触并且由所述第二透明导电层和层压 在所述第二透明导电层上的所述金属层形成,并且所述第二存储电容器电极叠置在所 述第一存储电容器电极上并且由所述漏极的延伸至所述发光区域的所述第二透明导 电层形成。
6.根据权利要求5所述的方法,该方法还包括以下步骤:
在上面形成有所述源极、所述漏极和所述第二存储电容器电极的所述基板的整个 表面上形成涂覆层;以及
在所述涂覆层上形成与所述漏极的一部分接触的阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的