[发明专利]具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有通过利用透明导电材料在发光区域中形成存储电容器而改进的 开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法。另外，本发明涉及一种有机发光二极 管显示器及其制造方法，该方法用于通过减少掩模工艺的数量来简化制造工艺。

背景技术

近来，已经开发了与阴极射线管相比具有重量和体积减小的各种平板显示器。这 种平板显示器包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板 (PDP)、电致发光装置(EL)等。

EL分为无机EL和有机发光二极管显示器，并且是具有响应速度高、发光效率 高以及亮度高和视角宽的优点的自发射装置。

图1例示了有机发光二极管的结构。如图1所示，该有机发光二极管包括有机电 致发光化合物层、阴极和阳极，所述阴极和所述阳极彼此相对并且使有机电致发光化 合物层被插置于其之间。有机电致发光化合物层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输 层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

所述有机发光二极管根据来自通过被注入以形成阳极和阴极的空穴和电子在 EML中重新结合的过程而生成的激子的能量来发射光。有机发光二极管显示器通过 电控制在如图1所示的有机发光二极管的EML中生成的光的量来显示图像。

利用作为电致发光装置的有机发光二极管的特性的有机发光二极管显示器 (OLEDD)分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机 发光二极管显示器(AMOLED)。

AMOLED通过利用薄膜晶体管(在下文中被称为TFT)控制流过有机发光二极 管的电流来显示图像。

图2是例示了有机发光二极管显示器的一个像素的结构的等效电路图，图3是有 机发光二极管显示器的一个像素的结构的平面图，图4是例示了沿着图3的线I-I’截 取的常规的有机发光二极管显示器的结构的截面图。

参照图2和图3，AMOLED包括开关TFT(TFT)ST、连接至开关TFTST的驱 动TFTDT以及接触驱动TFTDT的有机发光二极管OLED。

开关TFTST形成在扫描线SL和数据线DL的交点处并用来选择像素。开关TFT ST包括栅极SG、半导体层SA、源极SS和漏极SD。驱动TFTDT驱动由开关TFTST 选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动TFTDT包括连接至开关TFTST的漏极 SD的栅极DG、半导体层DA、连接至驱动电流线VDD的源极DS以及漏极DD。驱 动TFTDT的漏极DD连接至有机发光二极管OLED的阳极ANO。

更具体地，参照图4，开关TFTST的栅极SG和驱动TFTDT的栅极DG形成在 AMOLED的基板SUB上。栅绝缘层GI形成在栅极SG和栅极DG上。半导体层SA 和半导体层DA形成在栅绝缘层GI的对应于栅极SG和栅极DG的部分上。源极SS 和漏极SD形成在半导体层SA上，彼此相对具有设置在源极SS与漏极SD之间的预 定间隙。源极DS和漏极DD形成在半导体层DA上，彼此相对具有设置在源极DS 与漏极DD之间的预定间隙。开关TFTST的漏极SD经由形成在栅绝缘层GI中的接 触孔连接至驱动TFTDT的栅极DG。钝化层PAS形成在基板的整个表面上，以便覆 盖具有上述结构的开关TFTST和驱动TFTDT。

当半导体层SA和半导体层DA由氧化物半导体材料形成时，由于氧化物半导体 的高移动性而能够在具有大充电容量的大TFT基板中实现高分辨率和快驱动速度。 氧化物半导体材料层还可以包括用于保护其表面不受蚀刻剂的影响以便确保装置稳 定性的蚀刻阻挡层SE和蚀刻阻挡层DE。具体地，蚀刻阻挡层SE和蚀刻阻挡层DE 被形成以便防止半导体层SA和半导体层DA由于蚀刻剂接触半导体层SA和半导体 层DA的已暴露表面(其对应于源极SS和源极DS与漏极SD和漏极DD之间的间隙) 而被回蚀刻。

滤色器CF形成在与将稍后形成的阳极ANO对应的区域中。如有可能，滤色器 CF被优选地形成为占据宽区域。例如，滤色器CF被形成为使得滤色器CF叠置在包 括数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的宽区域上。上面已形成有滤色器CF 的基板具有不平表面和许多梯状部分，因为许多组件已形成在其上。因此，涂覆层 OC形成在基板的整个表面上以便使基板的表面平整。