[发明专利]窄边框大面积有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201510780695.4 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN105609529B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 金重铁 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边框 大面积 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括:
基板,该基板包括显示区域和非显示区域;
选通驱动器,该选通驱动器被布置在所述非显示区域中,并且所述选通驱动器包括薄膜晶体管;
开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,该驱动薄膜晶体管被设置在所述显示区域中;
第一钝化层,该第一钝化层位于所述驱动薄膜晶体管和包括在所述选通驱动器中的所述薄膜晶体管上;
存储电容的第一电极,该存储电容的第一电极位于所述第一钝化层上,并与所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管交叠,
其中,所述存储电容的第一电极连接至所述开关薄膜晶体管的漏极;
地线,该地线与所述存储电容的第一电极位于同一层上,并且与所述选通驱动器交叠;
第二钝化层,该第二钝化层被设置在所述存储电极的第一电极和所述开关薄膜晶体管及所述驱动薄膜晶体管上;
所述存储电容的第二电极位于所述第二钝化层上,并与所述存储电容的第一电极交叠,
其中,所述存储电容的第二电极连接至所述驱动薄膜晶体管的漏极;
平面层,该平面层被设置在所述存储电容的第二电极上,
阳极和辅助阴极,该阳极和该辅助阴极位于所述平面层上,所述阳极被布置在所述显示区域中,并且所述阳极经由所述存储电容的第二电极连接至所述驱动薄膜晶体管的漏极,并且所述辅助阴极被设置在所述非显示区域中;
有机发光层,该有机发光层被布置在所述显示区域中并且层叠在所述阳极上;
阴极,该阴极层叠在所述有机发光层上并且与所述地线和所述辅助阴极接触,
其中,所述辅助阴极被布置在所述地线和所述阴极之间,
其中,所述地线接触所述辅助阴极和所述阴极二者,
其中,所述阴极包括与所述辅助阴极直接接触的部分以及与所述地线直接接触的部分,
其中,所述地线被设置为围绕所述显示区域,
其中,所述辅助阴极由金属材料制成,并且所述阴极由透明导电材料制成,并且
其中,所述辅助阴极形成为具有宽条形状。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述驱动薄膜晶体管接触所述阳极,
其中,所述辅助阴极包括与所述阳极相同的材料,所述辅助阴极与所述阳极分离并且接触所述地线。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,
所述平面层暴露所述地线和所述驱动薄膜晶体管的一些部分,
其中,所述辅助阴极接触从所述平面层暴露的所述地线,并且
其中,所述阴极接触所述辅助阴极和所述地线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的