[发明专利]窄边框大面积有机发光二极管显示器

说明书

窄边框大面积有机发光二极管显示器。本公开涉及一种窄边框大面积有机发光二极管显示器。本公开提出了一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：基板，该基板包括显示区域和非显示区域；选通驱动器，该选通驱动器被布置在所述非显示区域中；地线，该地线在所述选通驱动器上与钝化层交叠；阳极，该阳极被布置在所述显示区域中；有机发光层，该有机发光层被布置在所述显示区域中并且层叠在所述阳极上；以及阴极，该阴极层叠在所述有机发光层上并且接触所述地线。

技术领域

本公开涉及窄边框大面积有机发光二极管显示器。具体地，本公开涉及一种具有用于降低阴极的表面电阻的辅助阴极以及用于防止该辅助阴极的保护电极的窄边框有机发光二极管显示器。

背景技术

现今，各种平板显示装置是为了克服阴极射线管的诸如巨大重量和大块体积的缺点而开发的。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、场发射显示器(或FED)、等离子体显示面板(或PDP)和电致发光装置(或EL)。

图1是例示了根据现有技术的具有诸如薄膜晶体管的有源开关元件的有机发光二极管显示器的结构的平面图。图2是例示了根据现有技术的沿着图1中的I-I’切割线的有机发光二极管显示器的结构的截面图。

参照图1和图2，该有机发光二极管显示器包括：薄膜晶体管(或“TFT”)基板，该TFT基板具有薄膜晶体管ST和薄膜晶体管DT；以及有机发光二极管OLED，该有机发光二极管OLED连接至薄膜晶体管ST和薄膜晶体管DT并且由薄膜晶体管ST和薄膜晶体管DT驱动；和盖ENC，该盖ENC接合并面对TFT基板，同时有机粘合剂POLY在盖ENC与TFT基板之间。TFT基板包括开关薄膜晶体管ST、连接至开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT以及连接至驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLED。

在透明基板SUB上，开关薄膜晶体管ST形成在选通线GL和数据线DL彼此交叉的地方。开关薄膜晶体管ST起作用以便选择连接至开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括从选通线GL分支的栅极SG、与栅极SG交叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT起作用以便驱动被布置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLED的阳极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括连接至开关薄膜晶体管ST的漏极SD的栅极DG、半导体沟道层DA、连接至驱动电流线VDD的源极DS以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接至有机发光二极管OLED的阳极ANO。

作为一个示例，图2示出了顶栅结构的薄膜晶体管。在这种情况下，开关薄膜晶体管ST的半导体沟道层SA和驱动薄膜晶体管DT的半导体沟道层DA首先形成在基板SUB上并且栅绝缘层GI覆盖它们，然后栅极SG和栅极DG通过与半导体沟道层SA和半导体沟道层DA的中心部交叠而形成在其上。此后，在半导体沟道层SA和半导体沟道层DA的两侧处，源极SS和源极DS以及漏极SD和漏极DD通过穿透绝缘层IN的接触孔连接至其。源极SS和源极DS以及漏极SD和漏极DD形成在绝缘层IN上。

另外，在围绕布置了像素区域的显示区域的外部区域处，排列了形成在选通线GL的一端处的选通焊盘GP、形成在数据线DL的一端处的数据焊盘DP以及形成在驱动电流线VDD的一端处的驱动电流焊盘VDP。钝化层PAS被布置为覆盖具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB的整个上表面。此后，形成的是暴露选通焊盘GP、数据焊盘DP、驱动电流焊盘VDP和驱动薄膜晶体管DT的漏极DD的接触孔。在基板SUB内的显示区域之上，涂覆了平面层PL。平面层PL在更平滑条件下使基板SUB的上表面粗糙，以便在基板SUB的平滑且平面表面条件下涂覆组成有机发光二极管的有机材料。

在平面层PL上，阳极ANO被形成为通过一个接触孔连接驱动薄膜晶体管DT的漏极DD。另一方面，在不具有平面层PL的显示区域的外部区域处，形成的是分别连接至通过接触孔暴露的选通焊盘GP、数据焊盘DP和驱动电流焊盘VDP的选通焊盘电极GPT、数据焊盘电极DPT和驱动电流电极VDPT。在基板SUB上，堤BA被形成从而覆盖除像素区域之外的显示区域。