[发明专利]薄膜电阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510781228.3 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105355349B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李国贵;林伯流;范文新;杨泽明;林瑞芬;张远生;杨晓平 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/075;H01C17/12;H01C17/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻器 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜电阻器，其特征在于，包括：
绝缘基板，表面形成有两个相互间隔的表电极；
电阻层，形成于所述绝缘基板的表面、与两个所述表电极连接且覆盖所述表电极的部分表面；
薄膜介质层，覆盖所述电阻层的表面，所述薄膜介质层的材料为钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种；
保护层，完全覆盖所述薄膜介质层的表面且延伸到所述绝缘基板及所述表电极的表面；
所述电阻层及所述薄膜介质层采用蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或等离子增强型化学气相沉积制备。
2.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述绝缘基板为陶瓷绝缘基板或玻璃绝缘基板。
3.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述薄膜介质层的厚度为300nm～5000nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述电阻层形成有激光修刻槽，所述薄膜介质层覆盖所述激光修刻槽的表面。
5.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述保护层的材料选自酚醛环氧树脂、双酚A环氧树脂、胺基甲酸酯及聚酰亚胺中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述表电极的材料为银、银合金、金、金合金、铜、铜合金、钯、钯合金、镍或镍合金。
7.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述的绝缘基板为改性绝缘基板，所述绝缘基板的表面沉积一层硅化物以改善绝缘基板表面的平坦度或在绝缘基板的表面刷涂玻璃介质糊剂，经高温烧结后形成玻璃介质改性层。
8.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述电阻层有多层，多层所述电阻层依次层叠。
9.根据权利要求1所述的薄膜电阻器，其特征在于，所述保护层有多层，多层所述保护层依次层叠。
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