[发明专利]图像传感器和图像探测器在审
申请号: | 201510786053.5 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN105321975A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 朱虹;凌严;郑娅洁 | 申请(专利权)人: | 上海瑞艾立光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 图像 探测器 | ||
1.一种图像传感器,用于实现入射光的光电转换,其特征在于,包括基底以及位于基底上的至少一个像素单元,所述像素单元包括:
聚光件,用于汇聚入射光;
位于基底表面的光电器件,用于感测经所述聚光件汇聚后的入射光并形成电信号。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述光电器件设置于所述聚光件的主光轴上。
3.如权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述光电器件与所述聚光件之间的距离小于所述聚光件的焦距。
4.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述光电器件受到入射光照射的表面为感光面,所述聚光件在所述感光面上的投影面积大于所述感光面的面积。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述聚光件在所述基底表面的投影面积与所述像素单元的面积相当。
6.如权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述聚光件在所述基底表面的投影面积在所述像素单元面积的90%到100%范围内。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述聚光件包括凸透镜或梯度折射率透镜。
8.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素单元还包括支撑件,所述聚光件固定在所述支撑件上。
9.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述支撑件的材料为透明材料。
10.如权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述支撑件为与所述基底相对的透光平板,所述聚光件固定在所述透光平板朝向所述基底的面上。
11.如权利要求10所述的图像传感器,其特征在于,所述聚光件为平凸透镜,包括:平面入射面和凸面出光面;所述平凸透镜的平面入射面与所述透光平板相贴合。
12.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述光电器件包括光电二极管。
13.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述基底为玻璃基底。
14.如权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器为线阵列图像传感器,所述像素单元呈线性排布。
15.一种图像探测器,其特征在于,包括:
如权利要求1至权利要求14任一项权利要求所述的图像传感器。
16.如权利要求15所述的图像探测器,其特征在于,所述图像探测器为X射线图像探测器;
所述图像探测器还包括:位于所述图像传感器上的X射线转换层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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