[发明专利]图像传感器和图像探测器在审
申请号: | 201510786053.5 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN105321975A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 朱虹;凌严;郑娅洁 | 申请(专利权)人: | 上海瑞艾立光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 图像 探测器 | ||
技术领域
本发明涉及图像采集领域,特别涉及一种图像传感器和图像探测器。
背景技术
线性阵列图像探测器是一种以线性阵列图像传感器为核心的X射线影像探测器。在X射线照射下探测器将X射线光子直接或者间接转换为电信号,再通过外围电路检出及ADC变换,从而获得数字化图像。线性阵列图像传感器以光电二极管为核心,且这些二极管按照一定规则排列成的一行或者几行的阵列,并集成以数据线、偏置电压线等。
目前线性阵列图像探测器所用的线性阵列传感器几乎都是晶体硅线性阵列传感器。这类线性阵列扫描探测器在晶圆衬底上制作,并将器件、导线等集成在衬底上。基于此工艺形成的线性阵列探测器,相邻像素单元之间的串扰严重,且工艺复杂、成本高,而且探测器尺寸受限于晶圆衬底的尺寸。
为了增大探测器的尺寸,降低制造成本,避免相邻像素之间的串扰,采用非晶硅工艺形成图像传感器,以构成非晶硅图像探测器。
但是现有技术中的非晶硅图像传感器存在图像噪声较大的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种图像传感器和图像探测器,以降低图像噪声。
为解决上述问题,本发明提供一种图像传感器,用于实现入射光的光电转换,包括基底以及位于基底上的至少一个像素单元,所述像素单元包括:
聚光件,用于汇聚入射光;
位于基底表面的光电器件,用于感测经所述聚光件汇聚后的入射光并形成电信号。
可选的,所述光电器件设置于所述聚光件的主光轴上。
可选的,所述光电器件与所述聚光件之间的距离小于所述聚光件的焦距。
可选的,所述光电器件受到入射光照射的表面为感光面,所述聚光件在所述感光面上的投影面积大于所述感光面的面积。
可选的,所述聚光件在所述基底表面的投影面积与所述像素单元的面积相当。
可选的,所述聚光件在所述基底表面的投影面积在所述像素单元面积的90%到100%范围内。
可选的,所述聚光件包括凸透镜或梯度折射率透镜。
可选的,所述像素单元还包括支撑件,所述聚光件固定在所述支撑件上。
可选的,所述支撑件的材料为透明材料。
可选的,所述支撑件为与所述基底相对的透光平板,所述聚光件固定在所述透光平板朝向所述基底的面上。
可选的,所述聚光件为平凸透镜,包括:平面入射面和凸面出光面;所述平凸透镜的平面入射面与所述透光平板相贴合。
可选的,所述光电器件包括光电二极管。
可选的,所述基底为玻璃基底。
可选的,所述图像传感器为线阵列图像传感器,所述像素单元呈线性排布。
相应的,本发明还提供一种图像探测器,包括:
本发明所提供的图像传感器。
可选的,所述图像探测器为X射线图像探测器;所述图像探测器还包括:位于所述图像传感器上的X射线转换层。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
本发明通过在像素单元中设置位于光电器件上的聚光件,汇聚入射光并使入射光透射至光电器件上,由此可以在不减少入射光量的前提下,减小受到入射光照射的光电器件的面积,使减小光电器件面积成为可能,以达到减小图像传感器噪声的目的,能够有效的提高图像传感器的信噪比,改善图像传感器的性能。
附图说明
图1是现有技术中一种图像传感器的布局示意图;
图2至图4是本发明所提供图像传感器一实施例的结构示意图;
图5是本发明所提供的图像探测器一实施例的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知,现有技术中的图像传感器存在信号噪声过大的问题。现结合现有技术中图像传感器的结构分析其噪声过大的原因:
参考图1,示出了现有技术中一种图像传感器的布局示意图。
呈阵列排布的像素单元11在基底10上构成像素阵列12,其中,像素单元11中的感光器件13一般为光电二极管。像素阵列12的数据线14通过绑定垫15(pad)与外部电路实现电连接。
光电二极管通过采集光信号,并根据光信号产生电信号:
在不饱和的情况下,光电二极管感光面受到光线辐照的强度与光电二极管所产生电信号的强度成正比:
Q=ηQE×GL×S×t
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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