[发明专利]一种DLL输出电路及保证DRAM省电模式退出正常的方法有效
申请号: | 201510786326.6 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN105281754B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 王嵩 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dll 输出 电路 保证 dram 模式 退出 正常 方法 | ||
本发明涉及一种DLL输出电路及保证DRAM省电模式退出正常的方法,包括接收器、DLL延迟链、输出驱动器、DLL鉴相器、DLL逻辑控制电路、延迟链控制器、反馈电路,还包括计数器和运算器,计数器的输入端接收触发使能信号和配置参数,所述计数器的输出端连接运算器,所述运算器连接延迟链控制器,所述计数器以配置参数为基数,在触发使能信号的作用下进行计数。本发明解决了现有DLL输出电路在面临电流突变的突发状况下,无法补偿瞬态的电压扰动,出现DRAM内部供电系统不稳定的技术问题,本发明能在DRAM省电模式退出时自动补偿,达到瞬态补偿噪声的效果。
技术领域
本发明涉及一种解决DRAM省电模式退出异常的方法。
背景技术
现存的DRAM产品为了满足JEDEC标准的省电要求,往往会仅在响应读指令的时候开启芯片内部的所有时钟及其对应的模块。这样的操作可以带来很大的省电效果,因而DRAM业内一直延续这样的操控,然而随着DRAM的速度越来越快,突发的读指令往往会引发对芯片内外供电系统巨大的瞬态消耗,使得DRAM内部供电系统不稳定,导致DRAM产生的数据信息的有效宽度过于短小,甚至内部逻辑时序预度不够引发的逻辑错误。正常情况下,DLL输出电路会经过几百个周期的运行,一般对于DDR1,DLL延迟链锁定的时间为200T,对于DDR2为256T,DDR3为512T,DDR4为768T。调整确定DLL电路内部的延时DLL单元个数为X,然后DRAM才进入工作模式,而在整个DRAM工作过程中,为了保证DLL输出电路输出的稳定性,DLL输出电路的DLL延时链控制器更新特别慢。那么这样就存在一个问题:例如当DRAM需要退出省电模式时,这时整个DLL延迟链电路及其输出电路的电流就会突然变的特别大,只有原来锁定的延时DLL单元瞬时由X变为X‐N后才能补偿此时瞬态的电压扰动,但是由于原有DLL延时链控制器运行速度根本无法及时发出调整指令,使DRAM内部供电系统由于突然功耗剧增带来的不稳定,导致DRAM产生的数据信息的有效宽度过于短小,甚至内部逻辑时序预度不够引发的逻辑错误。CMD为command的缩写。
而传统处理此类问题的方法基本是在加大内电压上的电容电阻去滤掉这样的高频扰动,但是这类方法受限于面积功耗等因素。
发明内容
为了解决现有DLL输出电路在面临电流突变的突发状况下,无法补偿瞬态的电压扰动,出现DRAM内部供电系统不稳定的技术问题,本提供一种DLL输出电路及保证DRAM省电模式退出正常的方法。本发明的发明能在DRAM省电模式退出时自动补偿,达到瞬态补偿噪声的效果。
本发明的技术解决方案:
一种DLL输出电路,包括接收器、DLL延迟链、输出驱动器、DLL鉴相器、DLL逻辑控制电路、延迟链控制器、反馈电路,所述接收器、DLL延迟链、输出驱动器依次连接,所述DLL鉴相器的一个输入端连接在接收器和DLL延迟链之间,所述DLL鉴相器的另一个输入端通过反馈电路连接在DLL延迟链和输出驱动器之间,所述DLL鉴相器的输出端与DLL逻辑控制电路的一端连接,所述DLL逻辑控制电路的另一端与延迟链控制器的一端,所述延迟链控制器的另一端与DLL延迟链连接,其特殊之处在于:还包括计数器和运算器,所述计数器的输入端接收触发使能信号和配置参数,所述计数器的输出端连接运算器,所述运算器连接延迟链控制器,所述计数器以配置参数为基数,在触发使能信号的作用下进行计数。
配置参数包括Y和N,其中Y为改变DLL延迟链单元个数的持续周期数,N为改变的DLL延迟链的DLL单元个数,所述触发使能信号为外部产生的省电退出信号。
保证DRAM正常退出省电模式的方法,其特殊之处在于:包括以下步骤:
1】配置计数器的参数Y和N,其中Y为改变DLL延迟链单元个数的持续周期数,N为减档数,即每次改变的DLL延迟链的DLL单元个数;设定DRAM在省电模式下,DLL延迟链锁定的延时DLL单元个数为X;设定退出省电模式后,DLL延迟链锁定的延时DLL单元个数为X‐N;计数器的原始计数值为:Y*N;
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