[发明专利]激光加工方法

说明书

本申请是申请日为2008年10月27日、申请号为200880103871.9、 发明名称为激光加工方法的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于沿着切断预定线将具备GaAs基板的板状的加工 对象物切断的激光加工方法。

背景技术

作为现有的上述技术领域的激光加工方法，已知有使聚光点对准 具备Si基板的板状的加工对象物的内部并照射激光，沿着加工对象物 的切断预定线，在Si基板上形成作为切断的起点的改质区域(例如参 照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-343008号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，针对具备GaAs基板的板状的加工对象物，期待可使切断的 可靠性进一步提高的改质区域的形成技术。

因此，本发明有鉴于上述的问题，其目的在于，提供一种对于具 备GaAs基板的板状的加工对象物、能够形成作为切断的起点的功能极 佳的改质区域的激光加工方法。

解决问题的方法

本发明者为了达成上述目的而进行了深入探讨，结果发现：对于 具备GaAs基板的板状的加工对象物，为了形成作为切断的起点的功能 极佳的改质区域，照射于加工对象物的脉冲激光的脉冲宽度是相当重 要的因素。即从通过在31ns～54ns的脉冲宽度下照射脉冲激光而在 GaAs基板上形成的改质区域，易于在加工对象物的厚度方向上产生龟 裂。另一方面，从通过在比31ns短的脉冲宽度或者比54ns长的脉冲宽 度下照射脉冲激光而在GaAs基板上形成的改质区域，难以在加工对象 物的厚度方向上产生龟裂。本发明者基于该认知而进一步进行了探讨， 直至完成本发明。

即本发明所涉及的激光加工方法，其特征在于，是使聚光点对准 具备GaAs基板的板状的加工对象物的内部并照射激光，从而沿着加工 对象物的切断预定线，在GaAs基板上形成将成为切断的起点的改质区 域的激光加工方法，激光为脉冲激光，且激光的脉冲宽度为31ns～54ns。

在该激光加工方法中，通过在31ns～54ns的脉冲宽度下照射激光， 从而沿着切断预定线在GaAs基板上形成作为切断的起点的改质区域。 由此，沿着切断预定线而在GaAs基板上形成的改质区域，易于在加工 对象物的厚度方向上产生龟裂。因此，根据该激光加工方法，对于具 备GaAs基板的板状的加工对象物，能够形成作为切断的起点的功能极 佳的改质区域。

在本发明所涉及的激光加工方法中，优选，激光的脉冲间距(pitch) 为7.5μm～10μm。在该情况下，对于具备GaAs基板的板状的加工对象 物，能够形成作为切断的起点的功能进一步更佳的改质区域。在此， 激光的脉冲间距是指：将“激光的聚光点相对于加工对象物的扫描速 度(移动速度)”除以“脉冲激光的重复频率”的数值。

在本发明所涉及的激光加工方法中，优选，在形成改质区域后， 以改质区域为起点，沿着切断预定线将加工对象物切断。在该情况下， 能够沿着切断预定线高精度地切断加工对象物。

在本发明所涉及的激光加工方法中，改质区域可以包含熔融处理 区域。

发明的效果

根据本发明，对于具备GaAs基板的板状的加工对象物，能够形成 作为切断的起点的功能极佳的改质区域。

附图说明

图1是用来形成改质区域的激光加工装置的大致构成图。

图2是作为改质区域的形成对象的加工对象物的平面图。

图3是沿着图2的加工对象物的III-III线的截面图。

图4是激光加工后的加工对象物的平面图。

图5是沿着图4的加工对象物的V-V线的截面图。

图6是沿着图4的加工对象物的VI-VI线的截面图。

图7是表示激光加工后的硅片的切断面的照片的图。

图8是表示激光的波长和硅基板的内部的透过率之间的关系的图。

图9是表示激光的峰值功率密度和裂纹点的大小之间的关系的图。

图10是表示适用于本实施方式所涉及的激光加工方法的加工对象 物的平面图。