[发明专利]一种显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201510794028.1 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN105226080B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 熊志勇 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;钟宗 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明提供了一种显示装置及其制造方法,显示装置包括:背板模块,包括TFT驱动背板以及TFT驱动背板之上的绝缘层;像素定义层、透明导电层和有机发光层,形成于绝缘层之上,像素定义层包含多个开口,透明导电层包括开口区透明导电层与非开口区透明导电层,开口区透明导电层位于像素定义层的多个开口中,有机发光层形成于开口区透明导电层之上,以相应形成多个子像素;在至少一种颜色的子像素的下方的背板模块中设有立体下凹孔,每个立体下凹孔对应一个开口,开口区透明导电层和有机发光层位于立体下凹孔中。本发明改变了像素区域的空间结构,增加发光区域表面积,可适用于各种显示装置,使得在高PPI情况下,电流密度不会增大,电压和功耗降低。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,尤其涉及一种低功耗的显示装置及其制造方法。
背景技术
现有的AMOLED面板中像素排布一般为真实像素排布(Real排布),这种排布的构造方式比较简单,版图设计和掩膜制作都比较方便,工艺制作也比较容易。
如图1a所示,传统的AMOLED面板包括背板模块1’、钝化层2’、平坦化层3’、像素定义层7’、透明导电层4’与有机发光层6’。其中钝化层2’形成在背板模块1’之上,平坦化层3’形成在钝化层2’之上。像素定义层7’形成于所述绝缘层上,所述像素定义层7’包含多个开口,且可以与平坦化层3’同层同质。透明导电层4’形成于所述绝缘层表面,包括开口区透明导电层4a’与非开口区透明导电层4b’,开口区透明导电层4a’位于所述像素定义层的所述多个开口中,非开口区透明导电层4b’位于所述绝缘层与所述像素定义层之间。有机发光层6’形成于所述开口区透明导电层4a’之上,以相应形成多个子像素。开口区透明导电层4a’的表面积、有机发光层6’的表面积与开口的表面积相同。单个子像素的发光面积等于其所在开口中的平面化的面积。图中,三段开口区透明导电层4a’所在的位置分别对应红色子像素R’、绿色子像素G’和蓝色子像素B’。
另外如图1b所示,8’为开在绝缘层中的过孔,9’为背板模块中的TFT,10’为有机发光单元中的阴极。所述非开口区透明导电层4b’通过过孔8’与非开口区的TFT9’相连。
但是,随着智能手机的应用,对高PPI(高解析度,即每英寸所拥有的像素数目,Pixels Per Inch)的追求就一直是AMOLED的主要目标。
由于AMOLED的像素发光点是利用精细金属掩模(Fine Metal Mask)在蒸镀工艺中制作的,受到工艺规则及掩模本身的限制,当面板在高PPI的时候,开口率自然会减小。
当像素开口率变小的时候,发光区域的面积也就变小,而就整个Panel而言,我们设定的电流是一定的,所以每个像素的电流密度就会随之增加。如图2所示,根据AMOLED面板的电流密度与电压曲线(J-V Curve)可知,当电流密度增加时,电压也随之增加。
以A,B两种开口率不同情况为例(B的开口率小于A的开口率),同样产品功耗的改变值,开口率减小带来了10%~15%的功耗增加量。对于便携式应用的手机来说,这种改变极为不利。如何在实现高PPI的前提下,同时不带来功耗的额外增加,成为一个非常重要的课题。
行业中也有人尝试提到颜色演算(Rendering)的办法可以既保证高PPI,同时保证开口率不变小。但是这种方法的不足在于:
1、演算显示效果不如Real,比如斜线毛刺的问题;
2、电路(IC)会变得复杂,增加很多成本;
3、缺乏核心的算法专利。
有鉴于此,发明人提供了一种低功耗的显示装置及其制造方法。
另外,在现有技术中,就一个AMOLED面板而言,整体跨压的设计一般是一定的,所以这个设定必须给各子像素的电压留足缓冲,让各子像素的电压都能够保证。在这种情况下,部分子像素的电压大小超过所需电压,出现电压设置冗余,造成的功耗浪费会成为整个设置的瓶颈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的