[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，具有有源区；

下电极，形成在所述有源区中，且包括形成在同一个第一杂质扩散区域中的多个第二杂质扩散区域以及所述第一杂质扩散区域，所述第一杂质扩散区域和所述多个第二杂质扩散区域具有不同的掺杂浓度并具有相同的导电类型；

上电极，面对所述下电极；

绝缘层，在所述下电极与所述上电极之间；以及

源/漏区，形成在所述上电极的两侧在所述有源区中，

其中所述多个第二杂质扩散区域中的每个的顶表面的中心被所述上电极重叠，并且从所述基板的上表面到所述第二杂质扩散区域的底表面的深度大于从所述基板的所述上表面到所述源/漏区的底表面的深度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一杂质扩散区域围绕所述多个第二杂质扩散区域的底表面和侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中从所述基板的所述上表面到所述第一杂质扩散区域的底表面的深度大于从所述基板的所述上表面到所述第二杂质扩散区域的所述底表面的所述深度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个第二杂质扩散区域包括在所述第一杂质扩散区域中彼此间隔开的多个图案区域。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述多个图案区域在所述基板的厚度方向上平行于彼此延伸。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述上电极具有面对所述第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域的表面，所述绝缘层在所述上电极与所述第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域之间。

7.一种半导体器件，包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管，

其中所述金属氧化物半导体晶体管包括：

下电极，形成在基板中且包括掺杂有杂质的半导体材料；

上电极，面对所述下电极；

绝缘层，在所述下电极与所述上电极之间；以及

源/漏区，形成在所述上电极的两侧在所述基板中，

其中所述下电极的掺杂浓度在所述绝缘层延伸的方向上是不均匀的，所述下电极包括形成在同一个第一杂质扩散区域中的多个第二杂质扩散区域，所述多个第二杂质扩散区域和所述第一杂质扩散区域具有相同导电类型并具有不同掺杂浓度，以及，

其中所述多个第二杂质扩散区域中的每个的顶表面的中心被所述上电极重叠，并且从所述基板的上表面到所述第二杂质扩散区域的底表面的深度大于从所述基板的所述上表面到所述源/漏区的底表面的深度。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述多个第二杂质扩散区域被所述第一杂质扩散区域围绕。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个第二杂质扩散区域的杂质浓度小于所述第一杂质扩散区域的杂质浓度。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个第二杂质扩散区域包括彼此间隔开的多个图案区域，

其中所述多个图案区域在所述基板的厚度方向上平行于彼此延伸。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述上电极包括掺杂半导体、金属、导电金属氮化物、金属硅化物或者其组合。