[发明专利]半导体器件

说明书

半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。

技术领域

发明构思总体而言涉及半导体器件，更具体地，涉及可以包括金属氧化物半导体(MOS)电容器的半导体器件。

背景技术

由于多功能和紧凑的器件被频繁地用于电子设备，已经开发了高度集成的系统－大规模集成电路(LSI)。在制造基于逻辑集成电路(IC)的系统LSI的过程中，诸如存储器件、高压晶体管或者逻辑IC的器件被形成在相同的基板上，因此，高度集成的系统LSI另外包括存储功能和电源管理(power management)功能。随着系统LSI的小型化，包括在其中的逻辑IC的尺寸也根据用于IC器件的尺寸比例法则而被减小。

此外，根据IC器件的缩放比例，需要具有相对高的阱掺杂浓度的器件，而且当形成这样的器件时，也可能形成用作变容器(varactor)的MOS电容器以实现片上系统(SOC)。然而，当MOS电容器被形成在具有相对高的阱掺杂浓度的基板上时，在耗尽层形成在MOS电容器中的绝缘层与半导体之间时，耗尽操作状态中的最小电容(Cmin)会增加。结果，最大电容(Cmax)和最小电容(Cmin)之间的范围(其确定MOS电容器的调节范围)变窄，因此，MOS电容器的可调节性会变差。

发明内容

发明构思提供一种半导体器件，该半导体器件可以构成具有减小的最小电容的结构的金属氧化物半导体(MOS)电容器，使得最大电容(Cmax)与最小电容(Cmin)之间的范围增加，该范围确定在具有相对高的掺杂浓度的基板中实现的MOS电容器的调节范围。

根据发明构思的一方面，提供一种半导体器件，包括：基板，包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。

在一些实施方式中，至少一个电极可以包括面对第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域的电极。

在一些实施方式中，至少一个电极可以包括面对第一杂质扩散区域的第一电极以及面对至少一个第二杂质扩散区域并与第一电极间隔开的第二电极。

在一些实施方式中，基板可以包括具有平坦的上表面的有源区，其中第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域形成在具有平坦的上表面的有源区中，至少一个电极是形成在有源区的平坦的上表面上的平面型电极。

在一些实施方式中，基板可以包括向上突出的鳍型有源区，其中第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域形成在鳍型有源区中，至少一个电极具有面对鳍型有源区的两侧的一对垂直面和面对鳍型有源区的上表面的水平面，绝缘层在鳍型有源区与电极的垂直面之间并在鳍型有源区与电极的水平面之间。

在一些实施方式中，基板可以包括向上突出并平行于彼此延伸的多个鳍型有源区，其中第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域形成在多个鳍型有源区的每个鳍型有源区中，至少一个电极在与多个鳍型有源区交叉的方向上延伸。

在一些实施方式中，基板可以包括向上突出并平行于彼此延伸的多个鳍型有源区，其中第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域形成在多个鳍型有源区中的每个鳍型有源区中，至少一个电极包括形成在多个鳍型有源区上以面对多个鳍型有源区的一个电极。

在一些实施方式中，第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域可以是相同导电类型。