[发明专利](酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种新的(酰胺氨基烷烃)金属化合物，和一种通过化学气相沉积法(下文中称 为CVD方法)使用所述金属化合物在物体上制备含金属的薄膜的方法。

背景技术

近年来，已研究开发出多种含金属的薄膜，作为半导体、电子元件等领域中的材料。

常规地，多种镁化合物，例如双(环戊二烯基)镁、醇镁和二酮镁(magnesiumdiketonato) 是已知的用于形成含镁薄膜的镁化合物(参见专利文献1-2)。其中，双(环戊二烯基)镁及其类 似物是相对经常使用的。同时，双(酰胺氨基烷烃)镁化合物也是已知的，并用作例如催化剂和 制备药物、农业化学品等的材料(参见非专利文献1-2)。

作为用于形成薄膜的钴化合物，提出了例如，双(乙酰丙酮)钴(参见，例如，非专利文献 3)、双(二新戊酰基甲基)钴(参见，例如，非专利文献4)、八羰基二钴(参见，例如，非专利文 献5和专利文献3)、环戊二烯基二羰基钴(参见，例如，非专利文献6和专利文献4)，及双(三 甲基甲硅烷基环戊二烯基)钴(参见，例如，专利文献5)、双(N,N’-二异丙基乙酰脒 (acetoamidinato))钴(参见，例如，专利文献6,专利文献7和非专利文献7)和双(N-叔丁基-N’- 乙基丙脒(ethylpropionamidinato))钴(参见，例如，专利文献8和非专利文献8)。

作为用于形成薄膜的锰化合物，提出了例如，双(二新戊酰基甲基)锰(参见，例如，专利 文献9)、双(乙基环戊二烯基)锰(参见，例如，专利文献9和10)、双(N,N’-二异丙基乙酰脒) 锰(参见，例如，专利文献11)和双(N,N’-二异丙基戊烷脒)锰(参见，例如，专利文献12和13 及非专利文献9和10)。

作为用于形成薄膜的锌化合物，提出了例如，双(乙酰丙酮)锌(参见，例如，专利文献14 和15)。

作为用于形成含铁薄膜、含镍薄膜或含镧薄膜的金属化合物，提出了例如，双(N,N’-二异 丙基乙酰脒)铁,双(N,N’-二异丙基乙酰脒)镍和三(N,N’-二异丙基-2-叔丁基脒)镧(参见，例如， 专利文献11)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:JP-A-2002-170993

专利文献2:JP-A-2005-298874

专利文献3:US2005/0130417A1

专利文献4:US2006/0157863A1

专利文献5:WO2008/111499A1

专利文献6:WO2004/046417A1

专利文献7:WO2009/088522A1

专利文献8:JP-A-2010-524264

专利文献9:WO2010/116889A1

专利文献10:WO2011/037090A1

专利文献11:JP-A-2010-156058

专利文献12:WO2009/117670A1

专利文献13:WO2011/050073A1

专利文献14:JP-A-2009-277357

专利文献15:JP-A-2003-31846

非专利文献

非专利文献1:Eur.J.SolidStateInorg.Chem.,p.241(1993)

非专利文献2:TetrahedronLett.,p.4175(2004)

非专利文献3:JapaneseJournalofAppliedPhysics,vol.36,p.705(1997)

非专利文献4:ChemistryofMaterials,vol.13,p.588(2001)

非专利文献5:ThinSolidFilms,vol.485,p.95(2005)

非专利文献6:JapaneseJournalofAppliedPhysics,vol.46,p.173(1997)

非专利文献7:JournalofTheElectrochemicalSociety,vol.157,D10-D15(2010)

非专利文献8:DaltonTransactions,p.2592-2597(2008)