[发明专利]一种优化混合存储器数据存储的方法

权利要求书

1.一种优化混合存储器数据存储的方法，其特征在于，应用于数据中心，且所述数据中心包括混合存储器、若干磁盘和检测统计模块，所述方法包括：

利用所述检测统计模块获取所述混合存储器的存储状态，并统计所述混合存储器和所述若干磁盘中存储的数据的使用频率；

若所述存储状态达到预置状态，则将所述混合存储器中存储的第一数据转存至所述若干磁盘中，以释放所述混合存储器的存储空间；以及

将所述若干磁盘中存储的第二数据转存至所述混合存储器释放的所述存储空间；

其中，所述第一数据为所述混合存储器中使用频率最低的数据，所述第二数据为所述若干磁盘中使用频率最高的数据，且所述第二数据的使用频率大于所述第一数据的使用频率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预置状态为所述混合存储器趋于存满的状态。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合存储器包括NAND混合存储器和新型混合存储器。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述NAND混合存储器包括：

第一级单层单元型NAND芯片，第二级双层单元型NAND芯片，第三级三层单元型NAND芯片，第N级N层单元型NAND芯片，以及最后一级3D-NAND型芯片；

其中，N为大于0的自然数。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述NAND混合存储器中，从第一级到最后一级：

所述几种类型芯片的读写速度逐步降低，可擦写次数逐步减少，容量逐步增大。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述新型混合存储器包括：相变存储器，磁性随机存储器，阻变式存储器和铁电存储器。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述新型混合存储器包括：上一级新型存储器芯片以及下一级NAND存储器芯片。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述新型混合存储器中，所述NAND存储器芯片为权利要求4所述的任意一种或者多种类型的NAND芯片。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述新型混合存储器中，所述新型存储器芯片的读写速度快于所述NAND存储器芯片，可擦写次数多于所述NAND存储器芯片。

10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述NAND混合存储器和所述新型混合存储器中，均由存储逻辑控制器控制不同类型芯片的读写操作。