[发明专利]一种优化混合存储器数据存储的方法在审

专利信息
申请号: 201510799638.0 申请日: 2015-11-18
公开(公告)号: CN105426129A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 景蔚亮;陈邦明 申请(专利权)人: 上海新储集成电路有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201506 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 优化 混合 存储器 数据 存储 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及数据存储领域,尤其涉及一种优化混合存储器数据存储的方法。

背景技术

在数据中心,当中央处理器(CPU)需要读取数据时,数据从数据存储结构中的NAND混合存储器,新型混合存储器或者磁盘(HDD)中导入到内存,然后再从内存中传给CPU。相比于传统的磁盘,NAND混合存储器或新型混合存储器虽说性能要比HDD好,然而NAND混合存储器或新型混合存储器的价格要远远高于HDD。从成本上考虑NAND混合存储器或新型混合存储器的容量不会占的太大,也就是说NAND混合存储器或新型混合存储器的容量要远远小于HDD的密度,而为了能够获得更高的性能又需要将HDD中的数据搬运到NAND混合存储器或新型混合存储器中,因此NAND混合存储器或新型混合存储器很容易就会被数据填满。因为在数据中心中,不论是NAND混合存储器还是新型混合存储器的容量都是有限的,而HDD中存储有大量的数据。如果用NAND混合存储器或新型混合存储器存放一些最不经常读或者写的数据,相对于NAND混合存储器或新型混合存储器不大的容量来说,即浪费了NAND混合存储器或新型混合存储器的资源,又降低了NAND混合存储器或新型混合存储器的整体性能。

发明内容

鉴于上述问题,本发明提供一种优化混合存储器数据存储的方法,把存放在混合存储器最后一级或几级中最不需要经常读和/或写的数据转存到读写速度较慢的磁盘或其他存储设备中,从而释放混合存储器的部分存储空间,用来存放磁盘中最频繁读和/或写的数据,进而充分利用了混合存储器读写速度快的特性,达到提高混合存储器的性能的目的。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:

一种优化混合存储器数据存储的方法,其特征在于,应用于数据中心,且所述数据中心包括混合存储器、若干磁盘和检测统计模块,所述方法包括:

利用所述检测统计模块获取所述混合存储器的存储状态,并统计所述混合存储器和所述若干磁盘中存储的数据的使用频率;

若所述存储状态达到预置状态,则将所述混合存储器中存储的第一数据转存至所述若干磁盘中,以释放所述混合存储器的存储空间;以及

将所述若干磁盘中存储的第二数据转存至所述混合存储器释放的所述存储空间;

其中,所述第一数据为所述混合存储器中使用频率最低的数据,所述第二数据为所述若干磁盘中使用频率最高的数据,且所述第二数据的使用频率大于所述第一数据的使用频率。

优选的,上述的方法,其中,所述预置状态为所述混合存储器趋于存满的状态。

优选的,上述的方法,其中,所述混合存储器包括NAND混合存储器和新型混合存储器。

优选的,上述的方法,其中,所述NAND混合存储器包括:

第一级单层单元型NAND芯片,第二级双层单元型NAND芯片,第三级三层单元型NAND芯片,第N级N层单元型NAND芯片,以及最后一级3D-NAND型芯片;

其中,N为大于0的自然数。

优选的,上述的方法,其中,所述NAND混合存储器中,从第一级到最后一级:

所述几种类型芯片的读写速度逐步降低,可擦写次数逐步减少,容量逐步增大。

优选的,上述的方法,其中,所述新型混合存储器包括:相变存储器,磁性随机存储器,阻变式存储器和铁电存储器。

优选的,上述的方法,其中,所述新型混合存储器包括:上一级新型存储器芯片以及下一级NAND存储器芯片。

优选的,上述的方法,其中,所述新型混合存储器中,所述NAND存储器芯片为上述的任意一种或者多种类型的NAND芯片。

优选的,上述的方法,其中,所述新型混合存储器中,所述新型存储器芯片的读写速度快于所述NAND存储器芯片,可擦写次数多于所述NAND存储器芯片。

优选的,上述的方法,其中,所述NAND混合存储器和所述新型混合存储器中,均由存储逻辑控制器控制不同类型芯片的读写操作。

上述技术方案具有如下优点或有益效果:本发明提供的一种优化混合存储器数据存储的方法,把存放在混合存储器最后一级或几级中最不需要经常读和/或写的数据转存到读写速度较慢的磁盘或其他存储设备中,从而释放混合存储器的部分存储空间,用来存放磁盘中最频繁读和/或写的数据,进而充分利用了混合存储器读写速度快的特性,达到提高混合存储器的性能的目的。

附图说明

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