[发明专利]化合物半导体薄膜结构

权利要求书

1.一种化合物半导体薄膜结构，包括：

基材，具有一顶部平面；

第一化合物半导体外延层，形成于该顶部平面上，且具有一外延界面位于该第一化合物半导体外延层面对该顶部平面的相反一侧，以及至少一凹室位于该第一化合物半导体外延层之中，其中该至少一凹室是通过外延成长制作工艺形成，且该至少一凹室的一部分侧壁具有与该第一化合物半导体外延层相同的一晶格方向；以及

第二化合物半导体外延层，形成于该外延界面上，覆盖于该至少一凹室上，不会完全填满该至少一凹室；

其中该顶部平面与该至少一凹室的一底部之间，具有实质介于0.8微米至1.3微米的一距离。

2.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该至少一凹室具有上宽下窄的一剖面形状。

3.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该第一化合物半导体外延层还具有多个不规则排列的凹室。

4.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该第一化合物半导体外延层和该第二化合物半导体外延层都包括一含铝半导体材料。

5.如权利要求4所述的化合物半导体薄膜结构，其中该含铝半导体材料选自于由氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)及上述的任意组合所组成的一族群。

6.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该基材位于一基板上的一氮化铝前驱层。

7.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该第一化合物半导体外延层具有实质介于1微米至1.5微米的一厚度。

8.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该第一化合物半导体外延层具有一蜂巢状俯视外观。

9.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该第一化合物半导体外延层具有多个岛状结构，且每一个岛状结构具有实质介于2微米至4微米之间的一直径。

10.如权利要求1所述的化合物半导体薄膜结构，其中该凹室具有实质介于0.1微米至0.5微米之间的一开口宽度。