[发明专利]一种高速激光器芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高速激光器芯片结构，其特征在于，包括腐蚀停止层(3)，具体的：

所述腐蚀停止层(3)位于第一渐变限制层(2)和第一波导层(4)之间；

其中，所述第一渐变限制层(2)位于缓冲层(1)上，所述缓冲层位于衬底(0)上。

2.根据权利要求1所述的高速激光器芯片结构，其特征在于，所述高速激光器芯片结构还包括：

所述衬底(0)，其为N型InP层；

所述缓冲层(1)，其为N型InP层并形成于衬底(0)上；

所述第一渐变限制层(2)，其为N型InAl_xGa_1-xAs层并形成于缓冲层(1)上，x＝0.5-0.1；

所述腐蚀停止层(3)，其为N型InGaAsP层并形成于第一渐变限制层(2)上；

所述第一波导层(4)，其为N型InP层并形成于腐蚀停止层(3)上；

一第二限制层(5)，其为N型InAl_0.5Ga_0.5As层并形成于第一波导层(4)上；

一第一量子阱垒层(6)，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7InAs层并形成于第二限制层(5)上；

一量子阱有源层(7)，其为非掺杂10对6nm厚压应变AlGaInAs阱层并形成于第一量子阱垒层(6)上；

一第二量子阱垒层(8)，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7InAs层并形成于量子阱有源层(7)上；

一第二波导层(9)，其为P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第二量子阱垒层(8)上；

一光栅层(10)，其为P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第二波导层(9)上；

一第三渐变限制层(11)，其为P型Al_xGa_1-xAs层并形成于光栅层(10)上x＝0.5-0.1；

一欧姆接触层(12)，其为P型InGaAs层并形成于第三渐变限制层(11)上；

一绝缘介质层(13)，其为SiO2层并形成于欧姆接触层(12)上；

一P型上电极(14)，其为TiPtAu层并形成于欧姆接触层(12)上；

一N型下电极(15)，其为Au-Sn层并形成于衬底(0)的下面。

3.如权利要求1或2所述的高速激光器芯片结构，其特征在于，所述腐蚀停止层(3)的厚度为100nm。

4.一种高速激光器芯片结构，其特征在于，在腐蚀停止层(3)上形成脊型双沟台结构，所述脊型双沟台结构具体包括：

由定向腐蚀欧姆接触层(12)、第三渐变限制层(11)、光栅层(10)、第二波导层(9)、第二量子阱垒层(8)、量子阱有源层(7)、第一量子阱垒层(6)、第二限制层(5)和第一波导层(4)，形成的第一沟道和第二沟道；

所述第一沟道和第二沟道之间存在由所述定向腐蚀后形成的第二脊柱，所述第一沟道和第二沟道另外两侧分别由第一脊柱和第二脊柱构成；其中，所述第一脊柱、第二脊柱和第三脊柱位于所述腐蚀停止层(3)上，依次由所述第一波导层(4)、第二限制层(5)、第一量子阱垒层(6)、量子阱有源层(7)、第二量子阱垒层(8)、第二波导层(9)、光栅层(10)、第三渐变限制层(11)和欧姆接触层(12)各层组合形成。

5.如权利要求4所述的高速激光器芯片结构，其特征在于，所述第一波导层(4)、第二限制层(5)、第一量子阱垒层(6)、量子阱有源层(7)、第二量子阱垒层(8)、第二波导层(9)、光栅层(10)、第三渐变限制层(11)和欧姆接触层(12)在所述定向腐蚀过程中形成的截面上还覆盖有绝缘介质层(13)。

6.如权利要求5所述的高速激光器芯片结构，其特征在于，所述脊型双沟台结构表面还覆盖有P型上电极(14)。