[发明专利]一种高速激光器芯片结构及其制作方法

说明书

本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片结构，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。

技术领域

本发明涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种高速激光器芯片结构及其制作方法。

背景技术

传统的高速半导体激光器结构如图1。该高速半导体激光器包括一衬底0，一缓冲层1，一第一渐变限制层2，一第一波导层3，一第二波导层4，一第一量子阱垒层5，一量子阱有源层6，一第二量子阱垒层7，一第三波导层8，一腐蚀停止层9，一第四波导层10，一第二渐变限制层11，一欧姆接触层12，一绝缘介质层13，一P型上电极14，一N型下电极15。

现有技术中高速半导体激光器的缺点是，其脊型双沟台面容易产生大量漏电流，其漏电流产生示意图如图3所示，激光器的阈值增加，同时也会增加电容C，影响激光器的频响特性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种高速激光器芯片结构及其制作方法。

为达成上述目的，一方面本发明实施例提供了一种高速激光器芯片结构，包括腐蚀停止层3，具体的：

所述腐蚀停止层3位于所述第一渐变限制层2和第一波导层4之间；

其中，所述第一渐变限制层2位于缓冲层1上，所述缓冲层位于衬底0上。

优选的，所述高速激光器芯片结构还包括：

一衬底0，其为N型InP层；

一缓冲层1，其为N型InP层并形成于衬底0上；

一第一渐变限制层2，其为N型InAl_xGa_1-xAs层并形成于缓冲层1上，x＝0.5-0.1；

一腐蚀停止层3，其为N型InGaAsP层并形成于第一渐变限制层2上；

一第一波导层4，其为N型InP层并形成于腐蚀停止层3上；

一第二限制层5，其为N型InAl_0.5Ga_0.5As层并形成于第一波导层4上；

一第一量子阱垒层6，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7InAs层并形成于第二限制层5上；

一量子阱有源层7，其为非掺杂10对6nm厚压应变AlGaInAs阱层并形成于第一量子阱垒层6上；

一第二量子阱垒层8，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7InAs层并形成于量子阱有源层7上；

一第二波导层9，其为P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第二量子阱垒层8上；

一光栅层10，其为P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第二波导层9上；

一第三渐变限制层11，其为P型Al_xGa_1-xAs层并形成于光栅层10上x＝0.5-0.1；

一欧姆接触层12，其为P型InGaAs层并形成于第三渐变限制层11上；

一绝缘介质层13，其为SiO2层并形成于欧姆接触层12上；