[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

使用可变电阻元件的至少一个存储单元；以及

控制向所述存储单元写入和从所述存储单元读取的控制电路，

所述半导体存储装置通过所述控制电路使得以下操作得以执行：

用于将第一极性的第一电压施加至所述存储单元的第一写入 操作，

用于将与所述第一极性相反的第二极性的第二电压施加至所 述存储单元的第二写入操作，以及

当所述第一写入操作失败时，用于进一步执行第二A写入操 作和第一A写入操作的重写操作，所述第二A写入操作用于将所 述第二极性的所述第二电压施加至所述存储单元，所述第一A写 入操作用于将所述第一极性的所述第一电压施加至所述存储单 元。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，属于所述重写操作的所述第二A写入操作施加具有与在所 述第二写入操作中相同幅值的脉冲。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，所述存储单元包括多个，并且所述存储单元分别耦合至字 线、位线以及板线，并且

其中，在所述位线的每一条和所述板线的每一条之间的电势保持 恒定的同时，属于所述重写操作的所述第二A写入操作被施加至第一 位的存储单元，并且所述第二写入操作被施加至第二位的存储单元。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，所述存储单元包括多个，并且所述存储单元分别耦合至字 线、位线以及板线，并且

其中，在所述字线的每一条的电势保持恒定的同时，属于所述重 写操作的所述第二A写入操作被施加至第一位的存储单元，并且所述 第二写入操作施加至第二位的存储单元。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，所述重写操作在所述第一写入操作之后读取所述存储单元 的数据，并且当作为数据读取的结果所述第一写入操作失败时，执行 用于将所述第二极性的所述第二电压施加至所述存储单元的所述第二 A写入操作，并且随后执行用于将所述第一极性的所述第一电压施加 至所述存储单元的所述第一A写入操作。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

其中，所述重写操作在所述第一A写入操作之后读取所述存储单 元的数据，并且作为数据读取的结果，重复直至所述第一A写入操作 成功或者重复预定次数。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

其中，所述存储单元包括多个，并且

其中，所述重写操作在所述第一写入操作之后集体地读取多位的 存储单元的数据，并且当作为数据读取的结果所述第一写入操作失败 时，执行用于将所述第二极性的所述第二电压施加至在所述第一写入 操作中已经失败的位的存储单元的所述第二A写入操作，并且随后执 行用于将所述第一极性的所述第一电压施加至所述位的所述存储单元 的所述第一A写入操作。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，

其中，集体地执行用于将所述第二极性的所述第二电压施加至所 述失败的位的所述存储单元的所述第二A写入操作，以及用于所述将 所述第二极性的所述第二电压施加至与失败的位不同的位的存储单元 的所述第二写入操作。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

其中，当执行所述第一写入操作或者所述第二写入操作时，预先 读取所述存储单元的数据，

其中，当作为数据读取的结果需要执行所述第一写入操作时，在 执行所述第二写入操作的状态的情况下进行所述第一写入操作，并且 在执行所述第一写入操作的状态的情况下不进行所述第一写入操作， 并且

其中，当作为数据读取的结果需要执行所述第二写入操作时，在 执行所述第一写入操作的状态的情况下进行所述第二写入操作，并且 在执行所述第二写入操作的状态的情况下不进行所述第二写入操作。