[发明专利]一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其包括上表面设有芯片电极及相应电路布局的芯片单体，所述芯片单体的芯片本体的上表面覆盖芯片表面钝化层并开设有芯片表面钝化层开口，芯片电极的上表面露出芯片表面钝化层开口，

其特征在于：还包括薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ，并于所述芯片电极的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口，在绝缘薄膜层Ⅰ的上表面选择性地形成不连续的再布线金属层和绝缘薄膜层Ⅱ，所述再布线金属层填充绝缘薄膜层Ⅰ开口，所述再布线金属层与每一所述芯片电极实现电性连接，并选择性地实现两个以上关联的所述芯片电极之间的电性连接，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，所述绝缘薄膜层Ⅱ覆盖再布线金属层并露出其输入/输出端，在所述输入/输出端处形成连接件，所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板，所述硅基加强板面向薄膜包封体的一面设置结合结构。

2.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述结合结构为复数个凸出或者凹陷于所述硅基加强板面向薄膜包封体的那面的纹理结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述结合结构为棱状结构、点状结构、波纹状结构的一种或任意几种的组合。

4.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述硅基加强板的厚度范围为不大于200微米。

5.根据权利要求4所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述硅基加强板的厚度范围为50～100微米。

6.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述再布线金属层为单层或多层。

7.根据权利要求1或6所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述再布线金属层的输入/输出端设置于芯片单体的垂直区域的外围。

8.根据权利要求1所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其特征在于：所述绝缘薄膜层Ⅰ开口内植入金属柱，所述金属柱连接再布线金属层与芯片电极。

9.一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构的封装方法，包括步骤：

步骤一，取集成电路晶圆，其表面设有芯片电极及相应电路布局，覆盖于晶圆上表面的芯片表面钝化层于芯片电极上方开设芯片表面钝化层开口露出芯片电极的上表面；

步骤二，对集成电路晶圆进行参数测试，将合格之集成电路晶圆的背面进行减薄工艺，再切割成复数颗独立的芯片单体；

步骤三，在支撑载体的支撑载体本体上黏贴剥离膜；

步骤四，将芯片单体有序地倒装至支撑载体上，芯片单体通过剥离膜与支撑载体本体固定；

步骤五，在真空环境下，在支撑载体上贴覆薄膜包封芯片单体，形成薄膜包封体；

步骤六，将硅基加强板键合至薄膜包封体的背面，并上下180度翻转；

步骤七，将支撑载体本体和剥离膜剥离芯片单体和薄膜包封体的表面，并对芯片单体的表面进行清洗，并去除残留物，露出芯片电极的上表面；

步骤八，在芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面贴覆绝缘薄膜层Ⅰ；

步骤九，利用光刻工艺或激光工艺形成绝缘薄膜层Ⅰ开口露出芯片电极的上表面；

步骤十，利用成熟的再布线工艺形成再布线金属层，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，绝缘薄膜层Ⅱ覆盖再布线金属层，并露出其输入/输出端；

步骤十一，在再布线金属层的输入/输出端处形成连接件；

步骤十二，将硅基加强板的下表面减薄至硅基加强板留有厚度h，将上述通过圆片级工艺完成的带有加强结构的芯片嵌入式封装结构进行切割形成复数颗独立的封装体。

10.根据权利要求9所述的一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构的封装方法，其特征在于：在步骤六中，所述硅基加强板朝向薄膜包封体的背面的那面设置有结合结构，该结合结构通过干法或湿法刻蚀成形。