[发明专利]一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着半导体硅工艺的发展，芯片的关键尺寸越来越小，为了降低成本，在进行芯片制作时倾向于选择较先进的集成度更高的芯片制作工艺，这就使得芯片的尺寸越来越小，芯片表面的I/O密度也越来越高。但是，与此同时印刷电路板的制造工艺和表面贴装技术并没有很大的提升。对于这种I/O密度比较高的芯片，如若进行圆片级封装，为了确保待封装芯片与印刷线路板能够形成互连必须将高密度的I/O扇出为低密度的封装引脚，亦即进行圆片级芯片扇出封装，如图1所示，其待封装芯片（1-1）通过基板（1-6）实现扇出连接。但随着便携式电子设备的进一步发展，像移动电话一类的电子装置已从单一的通讯工具转化为综合多种特性的集成系统，成为有多种用途的精巧工具，现有圆片级芯片扇出封装结构的不足日益凸显，具体表现在：

1、现有圆片级芯片扇出封装结构需要基板（1-6）实现扇出，而对于具有高引脚数的小芯片则需要多层基板（1-6）多次扇出才能与印刷线路板完成互连，不仅增加了不断增长的互连间距的失配概率和散热困难，降低了产品的可靠性，而且基板（1-6）的存在使整个封装结构的厚度无法减小，一般现有圆片级芯片扇出封装结构的体厚度在700～1500微米；

2、现有圆片级芯片扇出封装结构需要基板（1-6）实现扇出，往往限制了具有不同功能的各种芯片的加入，不利于便携式电子设备的集成发展。

发明内容

本发明的目的在于克服当前芯片封装结构的不足，提供一种减薄产品厚度、提高产品可靠性、实现多芯片封装的带有加强结构的芯片嵌入式封装结构及其封装方法。

本发明的目的是这样实现的：

本发明一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构，其包括上表面设有芯片电极及相应电路布局的芯片单体，所述芯片单体的芯片本体的上表面覆盖芯片表面钝化层并开设有芯片表面钝化层开口，芯片电极的上表面露出芯片表面钝化层开口，

还包括薄膜包封体，一个或一个以上所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内，在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层Ⅰ，并于所述芯片电极的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口，在绝缘薄膜层Ⅰ的上表面选择性地形成不连续的再布线金属层和绝缘薄膜层Ⅱ，所述再布线金属层填充绝缘薄膜层Ⅰ开口，所述再布线金属层与每一所述芯片电极实现电性连接，并选择性地实现两个以上关联的所述芯片电极之间的电性连接，在再布线金属层的最外层设有输入/输出端，所述绝缘薄膜层Ⅱ覆盖再布线金属层并露出其输入/输出端，在所述输入/输出端处形成连接件，所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板，所述硅基加强板面向薄膜包封体的一面设置结合结构。

进一步地，所述结合结构为复数个凸出或者凹陷于所述硅基加强板面向薄膜包封体的那面的纹理结构。

可选地，所述结合结构为棱状结构、点状结构、波纹状结构的一种或任意几种的组合。

进一步地，所述硅基加强板的厚度范围为不大于200微米。

进一步地，所述硅基加强板的厚度范围为50～100微米。

进一步地，所述再布线金属层为单层或多层。

进一步地，所述再布线金属层的输入/输出端设置于芯片单体的垂直区域的外围。

进一步地，所述绝缘薄膜层Ⅰ开口内植入金属柱，所述金属柱连接再布线金属层与芯片电极。

本发明一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构的封装方法，包括步骤：

步骤一，取集成电路晶圆，其表面设有芯片电极及相应电路布局，覆盖于晶圆上表面的芯片表面钝化层于芯片电极上方开设芯片表面钝化层开口露出芯片电极的上表面；

步骤二，对集成电路晶圆进行参数测试，将合格之集成电路晶圆的背面进行减薄工艺，再切割成复数颗独立的芯片单体；

步骤三，在支撑载体的支撑载体本体上黏贴剥离膜；

步骤四，将芯片单体有序地倒装至支撑载体上，芯片单体通过剥离膜与支撑载体本体固定；

步骤五，在真空环境下，在支撑载体上贴覆薄膜包封芯片单体，形成薄膜包封体；

步骤六，将硅基加强板键合至薄膜包封体的背面，并上下180度翻转；

步骤七，将支撑载体本体和剥离膜剥离芯片单体和薄膜包封体的表面，并对芯片单体的表面进行清洗，并去除残留物，露出芯片电极的上表面；

步骤八，在芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面贴覆绝缘薄膜层Ⅰ；

步骤九，利用光刻工艺或激光工艺形成绝缘薄膜层Ⅰ开口露出芯片电极的上表面；