[发明专利]可降低触控面板阻抗之电极结构

说明书

技术领域

本发明关于一种触控面板电极结构，特别是指一种可以有效降低触控面板之电极线路阻抗的氧化铟锡电极结构。

背景技术

目前的触控面板电极多使用氧化铟锡(ITO)透明电极片，如图1所示，氧化铟锡电极结构1包括：第一氧化铟锡电极体13、第二氧化铟锡电极体14、第三氧化铟锡电极体15以及第四氧化铟锡电极体16，该等氧化铟锡电极体分别具有第一表面11以及第二表面12，且该第一氧化铟锡电极体13透过第一连接桥体17与该第二氧化铟锡电极体14相连接，该第三氧化铟锡电极体15透过第二连接桥体18与该第四氧化铟锡电极体16相连接。一般来说，氧化铟锡电极片的电极阻抗多介于45欧姆(Ω)至150欧姆(Ω)之间，以将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间的技术来说(On-cell)，为了使氧化铟锡电极面阻抗下降而增加氧化铟锡电极之厚度，但仍受限于阻抗过高，因此多以小尺寸为主。

以单层薄膜式电容(GF)以及双层薄膜式电容(GFF)技术来说，除了导入金属网格、纳米银丝…等新材料取代氧化铟锡外，目前纯氧化铟锡之电极片材料其阻抗仍偏高，因此不利于中大尺寸触控面板发展。

而金属网格虽具有低阻抗优势，但因需要考虑到有莫瑞效应(Moireeffect)的存在，因此在设计上有所局限。

故现有氧化铟锡透明电极有阻抗偏高问题仍无法有效的解决，使得中大尺寸之触控面板讯号需过度仰赖触控晶体管(IC)，仍有待改良。

发明内容

有鉴于上述提到的触控面板阻抗偏高的缺点，本案发明人秉持精益求精的良善动机，提出一种可降低触控面板阻抗之电极结构，利用双导电体迭加并联原理，将另一导电材料覆盖于氧化铟锡电极上，可以有效降低触控面板电极线路之阻抗。

为了达到上述目的，本发明采取以下之技术手段予以达成，其中，本发明之可降低触控面板阻抗之电极结构，其包括有：一氧化铟锡(ITO)电极组，具有一第一表面及一第二表面，且该氧化铟锡电极组位于该第一表面上的面积比该氧化铟锡电极组位于该第二表面上的面积为大，该氧化铟锡电极组更包括有：一第一氧化铟锡电极体、一第二氧化铟锡电极体、一第三氧化铟锡电极体以及一第四氧化铟锡电极体，其中该第一氧化铟锡电极体透过一第一连接桥体与该第二氧化铟锡电极体相连接，该第三氧化铟锡电极体透过一第二连接桥体与该第四氧化铟锡电极体相连接，且该第二连接桥体大致与该第一连接桥体相垂直；一导电电极体组，具有一第一平面以及一第二平面，且该导电电极体组位于该第一平面的面积比位于该第二平面的面积为大，该导电电极体组更包括有四导电电极体，该等导电电极体分别与该第一氧化铟锡电极体、该第二氧化铟锡电极体、该第三氧化铟锡电极体以及该第四氧化铟锡电极体相连接。

附图说明

图1为现有技术触控面板之氧化铟锡电极结构示意图；

图2a为本发明第一实施例之结构示意图；

图2b为本发明第二实施例之结构示意图；

图2c为本发明第三实施例之结构示意图；

图2d为本发明第四实施例之结构示意图；

图3为现有技术触控面板之氧化铟锡电极结构电阻示意图；

图4为本发明触控面板之氧化铟锡电极结构电阻示意图。

附图标号说明：

电极结构1，1a

氧化铟锡电极组10

第一表面11

第二表面12

第一氧化铟锡电极体13

第二氧化铟锡电极体14

第三氧化铟锡电极体15

第四氧化铟锡电极体16

第一连接桥体17

第二连接桥体18

隔离体19

导电电极体组2

第一平面21

第二平面22

导电电极体23

第一厚度t1

第二厚度t2

阻抗R₁，R₂

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

为达成上述目的及功效，本发明所采用之技术手段及构造，兹绘图就本发明较佳实施例详加说明其特征与功能如下，俾利完全了解，但须注意的是，该等内容不构成本发明的限定。

请参阅图2a所示，其为本发明可降低触控面板阻抗之电极结构第一实施例之结构示意图。本发明提供一种可降低触控面板阻抗之电极结构1a，其包括有：一氧化铟锡(ITO)电极组10以及一导电电极体组2。