[发明专利]一种无色硬质AR膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510808227.3 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105487143B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 周群飞;饶桥兵;朱斌 | 申请（专利权）人： | 蓝思科技（长沙）有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115;G02B1/14 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410311 湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无色 硬质 ar 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无色硬质AR膜的制备方法，其特征在于：通过溅射镀膜法在基底表面反复交替镀Si3N4膜层和SiO2膜层得到由Si3N4膜层和SiO2膜层交替循环叠加构成的复合膜；
溅射镀膜法镀Si3N4膜层的工艺参数为：真空度：5.0×10-3Pa～2.0×10-4Pa；以硅为靶材，硅靶材的溅射功率：5000～9000W；Ar的流量:50～250sccm，N2的流量:50～250sccm；自由基源的功率:2000～5000W；
溅射镀膜法镀SiO2膜层的工艺参数为：真空度：5.0×10-3Pa～2.0×10-4Pa，以硅为靶材；硅靶材的溅射功率：5000～9000W；Ar的流量:50～250sccm，O2的流量:50～250sccm；自由基源的功率:2000～5000W；
所述的基底在镀膜之前进行RF预处理，RF预处理的相关工艺参数为：真空度：5.0×10-3Pa～2.0×10-4Pa；自由基源的功率:2000～5000W，O2:50～250sccm；时间:120～360s；
Si3N4膜层和SiO2膜层的总层数为5～11层；
所述的复合膜厚度为250nm～500nm；
所述的复合膜于可见光波段420～680nm单面透过率平均值大于94.5％。
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