[发明专利]一种中空halbach取向钕铁硼磁体有效
申请号: | 201510815050.X | 申请日: | 2015-11-23 |
公开(公告)号: | CN105427991A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 王海涛 | 申请(专利权)人: | 宁波尼兰德磁业有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
代理公司: | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人: | 张向飞 |
地址: | 315145 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 中空 halbach 取向 钕铁硼 磁体 | ||
技术领域
本发明涉及一种烧结永磁体,特别是一种中空halbach取向钕铁硼磁体。
背景技术
钕铁硼磁体,主要由稀土元素R与铁、硼组成的金属间化合物。R主要是钕或钕与其他稀土元素的组合,有时也用钴、铝、钒等元素取代部分铁。主要分为烧结钕铁硼和粘结钕铁硼两种,粘结钕铁硼各个方向都有磁性,耐腐蚀;而烧结钕铁硼因易腐蚀,表面需镀层,一般有镀锌、镍、环保锌、环保镍、镍铜镍、环保镍铜镍等。而烧结钕铁硼一般分轴向充磁与径向充磁,根据所需要的工作面来定。
钕铁硼永磁材料是以金属间化合物RE2FE14B为基础的永磁材料。主要成分为稀土(RE)、铁(Fe)、硼(B)。其中稀土ND为了获得不同性能可用部分镝(Dy)、镨(Pr)等其他稀土金属替代,铁也可被钴(Co)、铝(Al)等其他金属部分替代,硼的含量较小,但却对形成四方晶体结构金属间化合物起着重要作用,使的化合物具有高饱和磁化强度,高的单轴各向异性和高的居里温度。
钕铁硼磁体是由日本当代科学家左川真人发明的一种新型永磁体,并于1983年11月29届金属学术讨论会上,由日本住友特殊金属公司最先提出钕、铁、硼永久磁性材料的制造。它是主要由钕、铁、硼三种元素组成的合金磁体,是现在磁性最强的永磁体,因为钕原子是扁形的,电子云的受限,使铁原子不会偏移,从而形成不变的磁力。
钕铁硼磁体有很强的磁晶各向异性和很高的饱和磁化强度。在永磁材料中,烧结Nd-Fe-B磁体性能最高,商业产品的最大磁能积(BH)max=360kJ/m3,但该磁体的居里温度较低(314℃),温度稳定性和耐蚀性较差,限制了在较高温度下使用,而且在多数情况下需采用保护涂层。钕铁硼磁体的制造工艺有粉末冶金法和熔体快淬法。因磁性能优异,Nd-Fe-B型磁体获得了广泛的应用,主要用于电动机、发电机、声波换能器、各种传感器、医疗器械和磁力机械等。
现有钕铁硼磁体中,均为均质结构,从而以保证磁体具有较好的磁性能,提高磁体的能量密度。但是这同时又使得磁体具有较大的质量密度,在应用中不利于控制电机等应用设备的重心和质量分布,在设备的整体质量中具有较大的占比。
发明内容
为解决上述问题,本发明公开了一种中空halbach取向钕铁硼磁体,通过在磁体本体中设置的空缺结构(包括孔洞、微孔等)从而形成非均质结构的磁体,同时配合磁化区的halbach阵列取向,以避免磁体磁性能大幅下降,从而在降低磁体质量密度的同时保证磁体的磁性能,降低在应用设备中的质量占比,同时便于在设备的结构设置中调整重心分布而进行整体质量调控。
本发明公开的中空halbach取向钕铁硼磁体,包括本体,本体为块状,本体内部设置有至少3个孔洞,孔洞包括至少两条蛇形孔道和至少一条直形孔道,其中蛇形孔道相互缠绕,相邻孔洞间壁厚大于等于0.01mm,孔洞结构区域占本体总体积的10-25%,本体具有磁化区,磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向,磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。本发明通过在磁体中设置的空缺结构,改变了磁体为实心整体结构的现在,实现磁体的轻量化,同时通过调整磁体中空缺位置所占的比例以及结构形态,从而调控磁体在整装设备的中的质量分布状态,进而调整整装设备的重心,可以降低重心高度,而使得设备的运行更为稳定高效。同时配合磁化区albach阵列取向,在磁体选定目标范围内定向地取向增强磁场强度,从而改善因磁体中空缺而造成的场强降低的影响,从而实现在降低磁体质量密度、调控质量分布的同时,还可以保证磁体能量密度的稳定。
本发明公开的中空halbach取向钕铁硼磁体的一种改进,磁化区的最外层在本体的表层,并且磁化区在本体上成片状分布,且磁化区在本体中厚度相同。本方案中通过采用在表层以紧密设置的片状分布(延展方向与磁体表面方向一致),从而形成较为稳定的磁场分布,并且场强一致性好,避免整体取向磁体易出现的磁场分布不均,同时也便于磁体在使用中灵活地切割修整,提高使用的灵活性。相邻层片之间的间距不大于0.15mm,间距太大会造成磁场中场强分布出现明显的起伏波动,而影响磁体的精度,并且间距过大时还会影响磁体上磁化区的有效体积和质量,进而影响到磁体的磁性能。
本发明公开的中空halbach取向钕铁硼磁体的一种改进,磁化区在本体中的厚度不小于0.3mm。
本发明公开的中空halbach取向钕铁硼磁体的一种改进,磁化区总体积占本体总体积的60%以上。
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