[发明专利]具有防涡流门扇的基板处理装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有防涡流门扇的基板处理装置及其制造方法，尤其涉及一种可 防止为了处理基板而流入到腔室内部的气体因基板出入的门扇而生成涡流的具有防涡流 门扇的基板处理装置及其制造方法。

背景技术

通常，基板处理装置是在将基板装载于工艺腔室内部的状态下关闭门扇而密封内 部之后，在安置于载放座的基板上利用工艺气体执行预定的处理工艺。

半导体工艺中包括化学气相沉积工艺、等离子干式蚀刻工艺等，其中化学气相沉 积工艺通过高频放电而分解气体状态的化合物，然后引发化学反应而在基板上形成薄膜， 等离子干式蚀刻工艺则借助于等离子体状态的离子而蚀刻基板材料。在这些工艺中，如果 注入到腔室内部的气体中产生涡流，则沉积和蚀刻的均匀度可能下降。

而且，在用于执行作为半导体后处理工序的回流焊的设备中，在将气体注入到腔 室内部而执行基板的处理的情况下，如果注入的气体中产生涡流，则基板的均匀度 (Uniformity)也可能下降。

图1为表示现有的基板处理装置的图。

基板处理装置包括：圆筒形状的腔室主体10；门扇20，用于开闭形成在所述腔室主 体10的一侧的开口部11；门扇开闭驱动部30，提供驱动力以使所述门扇20可以开闭所述开 口部11；载放座40，用于安置基板W；升降销45，为了将基板W安置于所述载放座40上而进行 升降；喷洒头50，喷洒气体以处理安置于所述载放座40上的基板W；排气口60，用于将腔室主 体10内部的气体排出到外部。

在由于所述开口部11和门扇20的存在而形成的空间(A部分)中，气体的流动并不 完全，因此将会产生涡流。这样的涡流对基板处理后的均匀度产生消极影响。

之所以如此形成A部分的空间，是因为门扇20以平板形状构成，为了将平板形状的 门扇20紧贴于圆筒形状的腔室主体10而维持气密性，需要形成突出部12，该突出部12向形 成有开口部11的腔室主体10的外侧突出。

与所述突出部12接触的门扇20上具有用于维持气密性的密封件(未图示)。

为了防止如上所述的由气体的涡流引起的问题，韩国公开专利第10-2006- 0021136号公开了一种等离子真空设备。

在所述韩国公开专利第10-2006-0021136号中，为了防止由基板投入口的空余空 间引起的气体涡流现象，配备有与门扇阀连接的腔室内部的板。

然而，根据这样的结构，配备于腔室内部的板需要在接触于腔室的内壁面的状态 下上下移动，因此可能发生磨损引起的碎屑。另外，如果在与腔室的壁面接触的位置处配备 有密封件，则存在密封件的磨损速率显著加快的问题。

发明内容

本发明是为了解决如上所述的诸问题而提出的，其目的在于提供一种可防止用于 开闭腔室主体的开口部的门扇中产生涡流的基板处理装置及其制造方法。

而且，本发明的目的在于提供一种可通过简化防涡流结构的门扇的构造及制造方 法而节省制造成本的基板处理装置及其制造方法。

用于实现如上所述的目的之本发明的一种基板处理装置，包括：腔室主体100，以 圆筒形状构成；门扇200，以曲面形状构成，以用于开闭所述腔室主体100的一侧开口部110； 门扇开闭驱动部300，提供驱动力，该驱动力使所述门扇200沿相对于所述腔室主体100的外 侧面垂直的方向移动，以在所述开口部110使所述门扇200开闭。

所述门扇200的曲率可以等于所述腔室主体100的曲率。

所述门扇200的曲率可以大于所述腔室主体100的曲率。

在所述门扇200中，朝向所述腔室主体100的内侧面可形成有凹陷的密封件插槽 210，所述密封件插槽210插入有密封件220，当所述门扇200封闭所述开口部110时，所述密 封件220紧贴于所述腔室主体100而维持气密性。

所述门扇200以如下方式形成：在平板形状的板上加工出所述密封件插槽210，然 后通过弯曲加工而形成为曲面。

所述门扇开闭驱动部300可由如下驱动部构成：第一驱动部310，使所述门扇200沿 相对于所述腔室主体100的外侧面垂直的方向移动；第二驱动部320，使所述门扇200沿相对 于所述腔室主体100的外侧面平行的方向移动。