[发明专利]多比特熔断式印刷存储单元及其写入方法

权利要求书

1.一种多比特熔断式印刷存储单元，其特征在于，包括：

印刷在电极之间的电阻线组，所述电阻线组包括若干并联的电阻线且若干电阻线的熔断电压不同。

2.如权利要求1所述的印刷存储单元，其特征在于，所述电极包括第一电极和与第一电极相对的第二电极。

3.如权利要求1所述的印刷存储单元，其特征在于，所述第一电极与第二电极的间距为固定值或随着第一电极和第二电极的延伸方向可变。

4.如权利要求3所述的印刷存储单元，其特征在于，所述电极包括第一电极和与第一电极相对的第二电极，所述第一电极为台阶式电极，且不同电阻线对应连接台阶式电极的不同的台面。

5.如权利要求4所述的印刷存储单元，其特征在于，所述电阻线组的电阻线长度不同且长度较长的电阻线连接的台面距离第二电极较远。

6.如权利要求1所述的印刷存储单元，其特征在于，所述电阻线组的电阻线宽度不同。

7.如权利要求1所述的印刷存储单元，其特征在于，所述电阻线组的电阻线材料不同。

8.如权利要求1所述的印刷存储单元，其特征在于，所述电阻线的材料为金属材料，纳米材料，无机材料或有机材料。

9.如权利要求1所述的印刷存储单元，其特征在于，所述电阻线的形成工艺为喷墨打印、光刻、点胶、或丝网印刷。

10.如权利要求1-9任一项所述的印刷存储单元的写入方法，其特征在于，包括：

对第一电极和第二电极施加第一电压，熔断第一数量的电阻线，对应为存储状态“00”；

对第一电极和第二电极施加第一电压，熔断第二数量的电阻线，对应为存储状态“01”；

对第一电极和第二电极施加第三电压，熔断第三数量的电阻线，对应为存储状态“10”；

对第一电极和第二电极施加第四电压，熔断第四数量的电阻线，对应为存储状态“11”；

其中，第一、第二、第三、第三电压不同，第一、第二、第三、第四数量的电阻线也对应不同。