[发明专利]多比特熔断式印刷存储单元及其写入方法

说明书

技术领域

本发明涉及印刷存储领域，特别涉及一种多比特熔断式印刷存储单元及其写入方法。

背景技术

印刷存储在印刷电子产业具有十分重要的作用，特别是印刷防伪，物流监控等应用更加离不开印刷存储。

但是目前来看印刷存储仍然存在稳定性差，制备工艺复杂，不利于大规模生产，工作电压高，存储容量有限等各种问题。因此急需一种高稳定性，易于加工同时又具有良好稳定性以及高存储容量的印刷单元来解决日益发展的印刷产业对性能优秀的印刷存储单元的需求。

发明内容

本发明解决的问题是提供易于加工同时又具有良好稳定性以及高存储容量的多比特熔断式印刷存储单元及其写入方法。

为解决上述问题，本发明提供一种多比特熔断式印刷存储单元，包括：印刷在电极之间的电阻线组，所述电阻线组包括若干并联的电阻线且若干电阻线的熔断电压不同。

可选的，所述电极包括第一电极和与第一电极相对的第二电极。

可选的，所述第一电极与第二电极的间距为固定值或随着第一电极和第二电极的延伸方向可变。

可选的，所述电极包括第一电极和与第一电极相对的第二电极，所述第一电极为台阶式电极，且不同电阻线对应连接台阶式电极的不同的台面。

可选的，所述电阻线组的电阻线长度不同且长度较长的电阻线连接的台面距离第二电极较远。

可选的，所述电阻线组的电阻线宽度不同。

可选的，所述电阻线组的电阻线材料不同。

可选的，所述电阻线的材料为金属材料，纳米材料，无机材料或有机材料。

可选的，所述电阻线的形成工艺为喷墨打印、光刻、点胶、或丝网印刷。

本发明还提供一种印刷存储单元的写入方法，包括：对第一电极和第二电极施加第一电压，熔断第一数量的电阻线，对应为存储状态“00”；对第一电极和第二电极施加第一电压，熔断第二数量的电阻线，对应为存储状态“01”；对第一电极和第二电极施加第三电压，熔断第三数量的电阻线，对应为存储状态“10”；对第一电极和第二电极施加第四电压，熔断第四数量的电阻线，对应为存储状态“11”；其中，第一、第二、第三、第三电压不同，第一、第二、第三、第四数量的电阻线也对应不同。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：采用印刷在电极之间的电阻线组，所述电阻线组包括若干并联的电阻线且若干电阻线的熔断电压不同，从而使得能够采用电压对电阻线组的电阻线进行选择性熔断，以使得电阻线组的电阻不同，从而进行写入操作，整个烧写只需要改变不同的电压值，就可以完成整个单元不同存储值的写入，非常快捷方便，易于实现。

附图说明

图1是本发明一实施例的多比特熔断式印刷存储单元的示意图；

图2至图5是本发明一实施例的多比特熔断式印刷存储单元不同存储状态示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，印刷存储仍然存在稳定性差，制备工艺复杂，不利于大规模生产，工作电压高，存储容量有限等各种问题。

为此，本发明的发明人经过大量的实验，提出一种多比特熔断式印刷存储单元，采用印刷在电极之间的电阻线组，所述电阻线组包括若干并联的电阻线且若干电阻线的熔断电压不同，从而使得能够采用电压对电阻线组的电阻线进行选择性熔断，以使得电阻线组的电阻不同，从而进行写入操作，整个烧写只需要改变不同的电压值，就可以完成整个单元不同存储值的写入，非常快捷方便，易于实现。

并且进一步地，通过调整电极和电阻线的形貌、排布和连接关系，整个单元工艺简单，结构清晰，适合大规模生产。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

首先，请参考图1，图1为本发明一实施例的多比特熔断式印刷存储单元的示意图，包括：第一电极101，与第一电极101相对的第二电极102，其中第一电极101和第二电极102用于作为存储单元的写入端口和读取端口。作为一些实施例，所述第一电极101和第二电极102材料为导电材料，例如金属或导电银浆。

在一些实施例中，所述第一电极与第二电极的间距为固定值或随着第一电极和第二电极的延伸方向可变，从而使得在对电阻线组施加相同电压时，更便捷地可选地使得电阻线的一根或多根电阻线熔断。

在本实施例中，所述第一电极与第二电极的间距随着第一电极和第二电极的延伸方向可变，作为一些示范实施例，所述第一电极101为台阶式电极，且不同电阻线对应连接台阶式电极的不同的台面。