[发明专利]具有防涡流腔室的基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有防涡流腔室的基板处理装置及基板处理方法，尤其 涉及一种可防止为了处理基板而流入到腔室内部的气体因基板出入的门扇而 生成涡流的具有防涡流腔室的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

通常，基板处理装置是在将基板装载于工艺腔室内部的状态下关闭门扇 而密封内部之后，在安置于载放座的基板上利用工艺气体执行预定的处理工 艺。

半导体工艺中包括化学气相沉积工艺、等离子干式蚀刻工艺等，其中化 学气相沉积工艺通过高频放电而分解气体状态的化合物，然后引发化学反应 而在基板上形成薄膜，等离子干式蚀刻工艺则借助于等离子体状态的离子而 蚀刻基板材料。在这些工艺中，如果注入到腔室内部的气体中产生涡流，则 沉积和蚀刻的均匀度可能下降。

而且，在用于执行作为半导体后处理工序的回流焊的设备中，在将气体 注入到腔室内部而执行基板的处理的情况下，如果注入的气体中产生涡流， 则基板的均匀度(Uniformity)也可能下降。

图1为表示现有的基板处理装置的图。

基板处理装置包括：圆筒形状的腔室主体10；门扇20，用于开闭形成在 所述腔室主体10的一侧的开口部11；门扇开闭驱动部30，提供驱动力以使 所述门扇20可以开闭所述开口部11；载放座40，用于安置基板W；升降销 45，为了将基板W安置于所述载放座40上而进行升降；喷洒头50，喷洒气 体以处理安置于所述载放座40上的基板W；排气口60，用于将腔室主体10 内部的气体排出到外部。

在由于所述开口部11和门扇20的存在而形成的空间(A部分)中，气 体的流动并不完全，因此将会产生涡流。这样的涡流对基板处理后的均匀度 产生消极影响。

之所以如此形成A部分的空间，是因为门扇20以平板形状构成，为了 将平板形状的门扇20紧贴于圆筒形状的腔室主体10而维持气密性，需要形 成突出部12，该突出部12向形成有开口部11的腔室主体10的外侧突出。

与所述突出部12接触的门扇20上具有用于维持气密性的密封件(未图 示)。

并且，由于需要在腔室主体10形成开口部11和突出部12，因此存在腔 室主体10的制造工艺变得复杂的问题。

为了防止如上所述的由气体的涡流引起的问题，韩国公开专利第 10-2006-0021136号公开了一种等离子真空设备。

在所述韩国公开专利第10-2006-0021136号中，为了防止由基板投入口的 空余空间引起的气体涡流现象，配备有与门扇阀连接的腔室内部的板。

然而，根据这样的结构，配备于腔室内部的板需要在接触于腔室的内壁 面的状态下上下移动，因此可能发生磨损引起的碎屑。另外，如果在与腔室 的壁面接触的位置处配备有密封件，则存在密封件的磨损速率显著加快的问 题。

发明内容

本发明是为了解决如上所述的诸多问题而提出的，其目的在于提供一种 如下的基板处理装置及基板处理方法：使覆盖腔室主体的上部的盖体升降， 从而通过腔室主体的上部而实现基板的投入和搬出，据此可以防止腔室主体 的内侧产生工艺气体的涡流。

用于实现如上所述的目的之本发明的一种基板处理装置，包括：腔室主 体100，内部具有用于安置基板W的载放座400，且上部开放；盖体200，用 于开闭所述腔室主体100的开放的上部；盖体开闭驱动部300，提供驱动力， 该驱动力使所述盖体200沿上下方向移动以开闭所述腔室主体100的上部。

所述盖体200的边缘底面与所述腔室主体100的上端之间可夹设有密封 件。

所述盖体开闭驱动部300(310、320)可沿所述盖体200的边缘周围配 备有多个，以能够使所述盖体200沿上下方向移动。

所述盖体开闭驱动部300可由空压气缸或油压气缸构成，并结合于所述 盖体200而使盖体200升降。

所述腔室主体100的上端可具有法兰130，并在所述法兰130的上表面 与所述盖体200的底面之间夹设有密封件220。

所述盖体200的底面可结合有喷洒头500，该喷洒头500均匀地喷洒用 于处理所述基板W的工艺气体。