[发明专利]一种放大器中的连接器在审
申请号: | 201510823790.8 | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN105428863A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 杨继波 | 申请(专利权)人: | 宁波市鄞州永佳连接器件厂(普通合伙) |
主分类号: | H01R13/03 | 分类号: | H01R13/03;C22C9/02;B22D19/00 |
代理公司: | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人: | 张向飞 |
地址: | 315131 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放大器 中的 连接器 | ||
1.一种放大器中的连接器,其特征在于,所述连接器由基底段、中间段和连接段组成,中间段由呈直角圆弧设置的弯曲部及分设在弯曲部两端的加粗部组成,加粗部的外径大于弯曲部的外径,基底段由竖直部和水平部组成且呈“7”字形设置,水平部与中间段其中一加粗部相连,连接段由插入部及延伸部组成,插入部与延伸部的连接处设有圆环且圆环的外径与加粗部的外径相同,延伸部与中间段另一加粗部相连且延伸部的外径与弯曲部的外径相同,所述的连接器由三维网络氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成,所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料包括体积百分比含量为10-30%的三层层状多孔氮化硅陶瓷和体积百分比含量为70-90%的锡磷青铜。
2.根据权利要求1所述的一种放大器中的连接器,其特征在于,所述的三层层状氮化硅陶瓷包括上表面层、下表面层以及上下表面层之间的中间层,其中上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为90-95%Si3N4和5-10%Y2O3,中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为0.5-3%SiO2、0.5-1%炭黑、2-6%Y2O3、余量Si3N4。
3.根据权利要求2所述的一种放大器中的连接器,其特征在于,所述炭黑的粒径为60-80nm,SiO2的粒径为0.1-0.5μm,Y2O3的粒径为0.2-1.2μm,Si3N4为α>95%的α-Si3N4。
4.根据权利要求1所述的一种放大器中的连接器,其特征在于,所述的锡磷青铜由以下成分(以质量百分比计)组成:Zn:2.7-3.3%,Sn:3.5-4.5%,P:0.01-0.03%,Fe:0.01-0.05%,Ni:0.5-1%,Si:0.05-0.1%,稀土元素:0.1-0.5%,Pb<0.02%,Al<0.002%,Sb<0.002%,Bi<0.002%,余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
5.根据权利要求4所述的一种放大器中的连接器,其特征在于,所述锡磷青铜由以下重量百分比的成分组成:Zn:2.8-3.2%,Sn:3.8-4.2%,P:0.015-0.025%,Fe:0.02-0.04%,Ni:0.6-0.8%,Si:0.06-0.08%,稀土元素:0.2-0.4%,Pb<0.02%,Al<0.002%,Sb<0.002%,Bi<0.002%,余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
6.根据权利要求4或5所述的一种放大器中的连接器,其特征在于,锡磷青铜中所述的稀土元素由Ce和Sc按质量比为(1.3-1.5):1组成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种放大器中的连接器,其特征在于,所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料由如下方法制得:
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料,分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.3-0.6MPa的氮气压力和1680-1700℃下烧结1-2h,分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉;
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放,最后在3-4MPa的压力下压制成型,得三层层状多孔氮化硅陶瓷;
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜利用真空-气压铸造方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料。
8.根据权利要求7所述的一种放大器中的连接器,其特征在于,真空-气压铸造方法中的真空度为0.05-0.08MPa。
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