[发明专利]一种放大器中的连接器

说明书

技术领域

本发明涉及一种连接器，具体涉及一种放大器中的连接器，属于合金材料技术领域。

背景技术

连接器是电子工程中常见的一种部件，它的作用非常单纯：在电路内被阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定的功能。连接器是电子设备中不可缺少的部件，顺着电流流通的通路观察，总会发现有一个或多个连接器。连接器形式和结构是千变万化的，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同形式的连接器。例如，球场上点灯用的连接器和硬盘驱动器的连接器，以及点燃火箭的连接器是大不相同的。但是无论什么样的连接器，都要保证电流顺畅连续和可靠地流通。而现有技术中的连接器基本由金属(如铜合金、铝合金等)制成，尽管导电性能较好，但是连接器的强度，尤其是热疲劳抗性较为一般，严重影响了连接器的使用，大大降低了连接器的使用效率和使用寿命。

发明内容

本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一热疲劳抗性好、强度高、使用效率高的放大器中的连接器。

本发明的上述目的通过如下技术方案实现：一种放大器中的连接器，所述连接器由基底段、中间段和连接段组成，中间段由呈直角圆弧设置的弯曲部及分设在弯曲部两端的加粗部组成，加粗部的外径大于弯曲部的外径，基底段由竖直部和水平部组成且呈“7”字形设置，水平部与中间段其中一加粗部相连，连接段由插入部及延伸部组成，插入部与延伸部的连接处设有圆环且圆环的外径与加粗部的外径相同，延伸部与中间段另一加粗部相连且延伸部的外径与弯曲部的外径相同，所述的连接器由三维网络氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料包括体积百分比含量为10-30％的三层层状多孔氮化硅陶瓷和体积百分比含量为70-90％的锡磷青铜。

本发明的连接器采用三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，三层层状多孔SiC陶瓷和锡磷青铜互为支撑骨架，充分发挥SiC陶瓷和锡磷青铜两类材料的优点，有效提高了连接器的高强度、高温稳定性、耐磨损性、耐腐蚀性等。在复合材料中若氮化硅陶瓷的含量过高则会增加复合材料的脆性，降低复合材料的整体性能，而若氮化硅陶瓷的含量过低则复合材料的耐磨性和耐高温性能得不到提高。

在上述放大器中的连接器中，所述的三层层状氮化硅陶瓷包括上表面层、下表面层以及上下表面层之间的中间层，其中上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为90-95％Si₃N₄和5-10％Y₂O₃，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为0.5-3％SiO₂、0.5-1％炭黑、2-6％Y₂O₃、余量Si₃N₄。

本发明通过改变氮化硅陶瓷中Si₃N₄与二氧化硅和碳粉的相对含量，实现控制气孔率，通过改变中间层Si₃N₄晶种的含量和层间界面对层状多孔氮化硅陶瓷烧结性能、微观组织和力学性能的影响。随着Si₃N₄晶种含量的增大，收缩率逐渐降低，气孔率逐渐减小。以此种控制多孔氮化硅气孔率的工艺为基础，制备三层层状多孔氮化硅陶瓷。随着中间层原料中的Si₃N₄含量的逐渐增加，整个层状多孔氮化硅的收缩率和气孔率逐渐降低，弯曲强度逐渐增加。当中间层与表面层的收缩率相差较大时，虽然是弱界面结合，但产生的界面残余应力对层状多孔氮化硅的力学性能非常有利。当中间层与表面层的收缩率和气孔率接近时，弱界面结合转变为强界面结合也有利于提高层状多孔氮化硅陶瓷的力学性能。总之，当中间层的Si₃N₄含量变化时，层状多孔氮化硅陶瓷始终都具有较高的力学性能。

进一步优选，所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO₂的粒径为0.1-0.5μm，Y₂O₃的粒径为0.2-1.2μm，Si₃N₄为α>95％的α-Si₃N₄。