[发明专利]形成背接触太阳能电池触点的方法

权利要求书

1.一种形成背接触太阳能电池触点的方法，所述方法包括：

在基板上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，所述图案化暴露出在多个固态p型掺杂剂源区域之间的所述多晶硅层的区域；

在所述多晶硅层的暴露区域和所述多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，所述形成包括将掺杂剂从所述n型掺杂剂源层至少部分地驱入所述多晶硅层的暴露区域，以在所述多个固态p型掺杂剂源区域之间形成多个包含n型掺杂剂的多晶硅区域；以及，随后

加热所述基板，以在多个p型掺杂的多晶硅区域之中提供多个n型掺杂的多晶硅区域；以及

在加热之前，移除所述多个固态p型掺杂剂源区域，

所述方法，还包括：在形成n型掺杂剂源层之后以及在加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域之中提供多个n型掺杂的多晶硅区域之前，在所述多个包含n型掺杂剂的多晶硅区域与所述多个固态p型掺杂剂源区域之间形成沟槽，所述沟槽在所述多晶硅层中以及部分所述基板中形成。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述沟槽之后以及在加热所述基板之前，对所述沟槽暴露出的所述基板部分进行纹理化。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述沟槽和所述纹理化的进行无需形成所述沟槽和所述纹理化之间的固化操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述n型掺杂剂源层还包括将掺杂剂从所述多个固态p型掺杂剂源区域至少部分地驱入所述多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中加热所述基板包括活化所述多个包含n型掺杂剂的多晶硅区域中的掺杂剂，促进驱入源自所述多个固态p型掺杂剂源区域的掺杂剂进入所述多晶硅层，以及活化所述多晶硅层中的所述多个固态p型掺杂剂源区域的掺杂剂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成并图案化所述固态p型掺杂剂源包括形成并图案化硼硅酸盐玻璃(BSG)层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述n型掺杂剂源层包括形成P₂O₅层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过激光烧蚀形成多个通往所述多个n型掺杂的多晶硅区域和所述多个p型掺杂的多晶硅区域的触点开口。

9.一种根据权利要求1的方法制造的太阳能电池。