[发明专利]形成背接触太阳能电池触点的方法有效

申请号：	201510824544.4	申请日：	2011-10-03
公开（公告）号：	CN105355678B	公开（公告）日：	2020-12-04
发明（设计）人：	简·曼宁	申请（专利权）人：	太阳能公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/068
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	顾丽波;井杰
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	形成接触太阳能电池触点方法
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【说明书】：

本发明描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，以及加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域中提供多个n型掺杂的多晶硅区域。

本申请是基于申请日为2011年10月3日、申请号为201180032320.X(国际申请号为PCT/US2011/054603)、发明创造名称为“形成背接触太阳能电池触点的方法”的中国专利申请的分案申请。

本文所述的发明在政府支持下根据美国能源部授予的第DE-FC36-07GO17043号合同完成。政府可享有本发明的某些权利。

技术领域

本发明的实施例属于可再生能源领域，具体地讲是形成背接触太阳能电池触点的方法。

背景技术

光伏电池通常称为太阳能电池，是熟知的用于将太阳辐射直接转化成电能的装置。通常在半导体晶片或基板上用半导体加工技术在基板表面附近形成p-n结来制造太阳能电池。冲击在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基底中的p掺杂区域和n掺杂区域，从而在掺杂区域之间产生电压差。将掺杂区域连接到太阳能电池上的导电区域，以将电流从电池引导至与其耦合的外部电路。

附图说明

图1示出了根据本发明实施例的形成背接触太阳能电池触点的方法中的操作流程图。

图2A示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作102和图3流程图的操作302相对应。

图2B示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作104和图3流程图的操作304相对应。

图2C示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作106和图3流程图的操作306相对应。

图2D示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作108和图3流程图的操作308相对应。

图2E示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图3流程图的操作308和310相对应。

图2F示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作110和图3流程图的操作314相对应。

图2G示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作112和图3流程图的操作316相对应。

图2H示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作114和图3流程图的操作318相对应。

图2I示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图1流程图的操作116和图3流程图的操作320相对应。

图2J示出了根据本发明实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图。