[发明专利]具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供具有栅极电极的衬底以及形成在所述栅极电极的相对的侧壁上的第一间隔体和第二间隔体；

蚀刻所述衬底，以形成凹陷的源极界面和凹陷的漏极界面；以及

通过将所述衬底交替暴露于第一前驱物和第二前驱物，而在所述凹陷的源极界面上选择性地沉积第一外延层，并且在所述凹陷的漏极界面上选择性地沉积第二外延层，

其中，所述将所述衬底交替暴露于所述第一前驱物和所述第二前驱物包括：

将所述衬底暴露于所述第一前驱物以在所述凹陷的界面之上沉积外延膜，并在所述第一间隔体和所述第二间隔体中的每个的侧壁和底表面上沉积无定形层；

将所述衬底暴露于所述第二前驱物以从所述第一间隔体和所述第二间隔体中的每个的侧壁和底表面去除所述无定形层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述前驱物包括：

包括硅烷的含有硅的化合物；以及

包括磷的掺杂剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一外延层和所述第二外延层都包括掺杂有磷的硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述衬底，以形成凹陷的源极界面和凹陷的漏极界面包括：

执行湿法蚀刻，以在所述凹陷的源极界面和所述凹陷的漏极界面处的所述衬底的{111}晶面中形成{111}面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述湿法蚀刻在所述凹陷的源极界面和所述凹陷的漏极界面处的所述衬底的{010}晶面中形成{010}面。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述湿法蚀刻使用蚀刻剂化学试剂，所述蚀刻剂化学试剂选自由氢氧化钾（KOH）、氢氧化钠（NaOH）、基于氨的蚀刻剂或基于胺的蚀刻剂组成的组。