[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板以及具 有该薄膜晶体管阵列基板的显示面板和显示装置。

背景技术

随着大尺寸显示面板的发展，在阵列基板的像素阵列中，有一种被称为 半源极驱动(halfsourcedriving，HSD)架构。HSD架构的像素阵列中，两 列相邻的像素是共用一条数据线，可使数据线的数目减半。对于显示面板而 言，驱动芯片包括栅极驱动芯片(gatedriver)和源极驱动芯片(sourcedriver) 都是必不可少的，源极驱动芯片由于其复杂的结构比栅极驱动芯片更为昂贵， 而HSD架构由于可以使数据线数目减半，因此可降低源极驱动芯片的成本。

虽然采用HSD架构的显示面板可以让源极驱动芯片的驱动通道数减半， 但由于同一行像素中的奇数个像素与偶数个像素分别与不同的扫描线连接， 因此HSD架构中的扫描线数量加倍，因此HSD架构的像素阵列又称为双扫 描线像素阵列。

图1为现有阵列基板的平面示意图，图2为图1的阵列基板的等效电路 图，请参图1与图2，该阵列基板具有双扫描线像素阵列结构，包括多条扫 描线11、多条数据线12、多个TFT13以及多个像素电极14，每个像素电极 14通过TFT13与对应的扫描线11和数据线12相连，同一行像素电极中的 每相邻两个像素电极14分别通过TFT13连接在该行像素电极的上下两条扫 描线11上。

为了保证每个TFT13的正常制程，每个TFT13的栅极金属层需保证一 定的线宽，使得整条扫描线11的线宽与TFT13的栅极金属层的线宽相同， 扫描线11占用面积较大，导致像素的开口率低，影响显示面板的光学特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，以及具有该薄膜晶体 管阵列基板的显示面板和显示装置，以解决现有阵列基板的双扫描线像素阵 列结构中扫描线占用面积较大，像素开口率低的问题。

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括设置在衬底基板上的多条扫 描线、多条数据线、多个TFT以及多个像素电极，每个像素电极通过TFT与 对应的扫描线和数据线相连；两条相邻数据线之间设有两列像素电极，每条 数据线与位于该条数据线两侧的两列像素电极相连；两条相邻数据线之间的、 位于同一行的两个像素电极连接在同一条扫描线上；同一行的像素电极两两 一组交替地分别连接在位于该行像素电极的上下两侧的两条扫描线上；该多 条数据线将该多条扫描线中的每条扫描线分为与TFT相连的多个第一扫描段 和未与TFT相连的多个第二扫描段，该第一扫描段和该第二扫描段均位于两 条相邻数据线之间，每条扫描线上的第一扫描段和第二扫描段沿着扫描线的 长度方向交替分布，该第二扫描段的线宽小于该第一扫描段的线宽；上下相 邻两行的像素电极之间设有两条紧邻的扫描线，该两条紧邻的扫描线分别与 该上下相邻两行的像素电极相连，该两条紧邻的扫描线上的第一扫描段沿着 扫描线的长度方向交替分布，且该两条紧邻的扫描线上的第二扫描段也沿着 扫描线的长度方向交替分布。

进一步地，同一行的像素电极中，位于奇数的像素电极组与该行像素电 极的下侧的扫描线相连，位于偶数的像素电极组与该行像素电极的上侧的扫 描线相连，其中每个像素电极组包括位于两条相邻数据线之间的、位于同一 行的两个像素电极。

进一步地，同一行的像素电极中，位于偶数的像素电极组与该行像素电 极的下侧的扫描线相连，位于奇数的像素电极组与该行像素电极的上侧的扫 描线相连，其中每个像素电极组包括位于两条相邻数据线之间的、位于同一 行的两个像素电极。

进一步地，该第二扫描段的线宽为该第一扫描段的线宽的三分之一。

进一步地，每个TFT的栅极金属层与对应的扫描线相连，每个TFT的源 极金属层与对应的数据线相连，每个TFT的漏极金属层与对应的像素电极相 连。

进一步地，该薄膜晶体管阵列基板还包括覆盖在每个TFT的源极金属层 和漏极金属层上的钝化保护层，该钝化保护层上设有通孔，每个TFT的漏极 金属层通过该通孔与对应的像素电极相连。

进一步地，该第一扫描段的线宽与每个TFT的栅极金属层的宽度相同。

本发明还提供一种显示面板，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。

本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。