[发明专利]蓝宝石衬底回收再使用的方法有效
| 申请号： | 201510830804.9 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106783528B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;吕孟岩;马后永;游正璋;李起鸣;张宇 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 回收 使用 方法 | ||
1.一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于，所述蓝宝石衬底回收再使用的方法包括以下步骤：
提供待回收再使用的蓝宝石衬底；
使用盐酸溶液去除所述蓝宝石衬底表面残留的Ga；
使用王水去除所述蓝宝石衬底表面残留的金属；
使用ITO刻蚀液去除所述蓝宝石衬底表面残留的ITO；
使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN，处理温度为140℃～170℃，处理时间为2.5分钟～3分钟。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于：使用盐酸处理所述蓝宝石衬底的处理温度为常温，处理时间为3分钟～7分钟。
3.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于：使用王水处理所述蓝宝石衬底的处理温度为常温，处理时间为2小时～2.5小时。
4.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于：使用ITO刻蚀液处理所述蓝宝石衬底的处理温度为30℃～60℃，处理时间为6分钟～10分钟。
5.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于：使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN之后还包括以下步骤：
使用511溶液清洗所述蓝宝石衬底；
再次使用盐酸溶液清洗所述蓝宝石衬底。
6.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于：使用511溶液清洗所述蓝宝石衬底的清洗温度为50℃～100℃，清洗时间为3分钟～6分钟。
7.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于：再次使用盐酸清洗所述蓝宝石衬底的的清洗温度为常温，清洗时间为3分钟～6分钟。
8.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底回收再使用的方法，其特征在于：所述盐酸溶液中HCl与水的摩尔比为1：1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
