[发明专利]蓝宝石衬底回收再使用的方法

说明书

本发明提供一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，包括以下步骤：提供待回收再使用的蓝宝石衬底；使用盐酸溶液去除所述蓝宝石衬底表面残留的Ga；使用王水去除所述蓝宝石衬底表面残留的金属；使用ITO刻蚀液去除所述蓝宝石衬底表面残留的ITO；使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN。通过本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法步骤简单，易于操作，成本较低，可以将剥离完的蓝宝石衬底处理后回收再使用，重新进行外延生长，大大降低了垂直结构GaN基LED芯片的生产成本。

技术领域

本发明属于LED芯片制造领域，涉及一种蓝宝石衬底回收再使用的方法。

背景技术

为了解决LED正装结构存在的电流扩展及衬底散热等问题，垂直结构GaN基LED应用而生。垂直结构LED引入衬底转移技术将高热导率与高电导率的新衬底取代原有的蓝宝石衬底。具体的步骤分两步，首先采用晶片键合或者电镀的方法将新衬底与外延片粘合在一起，然后再使用激光剥离、研磨以及湿法腐蚀等方法将原有生长衬底去掉。通常，这种剥离下来的蓝宝石衬底都将做报废处理。

针对蓝宝石衬底再使用技术，大多数处理的是直接报废的外延片。针对报废的外延片，现已经有多种方法可以实现再使用：如使用芯片抛光打磨技术，直接把GaN外延层磨掉，这种方法只能重新制作成蓝宝石平片衬底；还有一些技术采用炉内高温分解GaN外延层，然后在进行相关的清洗流程来进一步优化蓝宝石衬底表面。然后，仅仅针对激光剥离后的蓝宝石衬底尚未有合适的处理方式。

随着垂直结构GaN基LED的大力发展，将会有越来越多的激光剥离蓝宝石衬底产生，因此，提供一种激光剥离蓝宝石衬底回收再使用的方法尤为必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，用于解决现有技术中激光剥离后的蓝宝石衬底无法回收再使用，进而导致生产成本较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，所述蓝宝石衬底回收再使用的方法至少包括以下步骤：

提供待回收再使用的蓝宝石衬底；

使用盐酸溶液去除所述蓝宝石衬底表面残留的Ga；

使用王水去除所述蓝宝石衬底表面残留的金属；

使用ITO刻蚀液去除所述蓝宝石衬底表面残留的ITO；

使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN。

作为本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法的一种优选方案，使用盐酸处理所述蓝宝石衬底的处理温度为常温，处理时间为3分钟～7分钟。

作为本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法的一种优选方案，使用王水处理所述蓝宝石衬底的处理温度为常温，处理时间为2小时～2.5小时。

作为本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法的一种优选方案，使用ITO刻蚀液处理所述蓝宝石衬底的处理温度为30℃～60℃，处理时间为6分钟～10分钟。

作为本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法的一种优选方案，使用磷酸处理所述蓝宝石衬底的处理温度为140℃～170℃，处理时间为2.5分钟～3分钟。

作为本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法的一种优选方案，使用磷酸去除所述蓝宝石衬底表面残留的GaN之后还包括以下步骤：

使用511溶液清洗所述蓝宝石衬底；

再次使用盐酸溶液清洗所述蓝宝石衬底。

作为本发明的蓝宝石衬底回收再使用的方法的一种优选方案，使用511溶液清洗所述蓝宝石衬底的清洗温度为50℃～100℃，清洗时间为3分钟～6分钟。