[发明专利]含无铅玻璃料的导电浆

权利要求书

1.一种导电浆，其特征在于，包括：(a)导电金属或其衍生物，占固体 重量约85至约99.5重量％；(b)包含碲-铋-氧化物的无铅玻璃料，占固体重 量的约0.5至约15重量％；以及(c)有机载体；所述固体重量是指(a)导电金 属及(b)无铅玻璃料的总重量。

2.如权利要求1所述的导电浆，其特征在于，其中所述导电金属或其 衍生物包含银粉。

3.如权利要求1所述的导电浆，其特征在于，其中所述无铅玻璃料中 氧化碲与氧化铋的比例分别为约55至约90重量％及约10至约45重量％。

4.如权利要求3所述的导电浆，其特征在于，其中在所述碲-铋-氧化物 中，氧化碲与氧化铋的比例分别为约63至约82重量％及约18至约37重量 ％。

5.如权利要求4所述的导电浆，其中所述氧化碲与氧化铋的比例分别 为约70至约75重量％及约25至约30重量％。

6.如权利要求1所述的导电浆，其特征在于，进一步包含一种或多种 选自下列组成的群组的金属氧化物：氧化锆(ZrO₂)、五氧化二钒(V₂O₅)、氧 化银(Ag₂O)、三氧化二铒(Er₂O₃)、氧化锡(SnO)、氧化镁(MgO)、三氧化二铷 (Nd₂O₃)、三氧化二铝(Al₂O₃)、二氧化硒(SeO₂)、二氧化钛(TiO₂)、氧化钠 (Na₂O)、氧化钾(K₂O)、五氧化二磷(P₂O₅)、二氧化钼(MoO₂)、二氧化锰(MnO₂)、 氧化镍(NiO)、氧化锂(Li₂O)、三氧化钨(WO₃)、三氧化二钐(Sm₂O₃)、二氧化 锗(GeO₂)、二氧化锌(ZnO)、三氧化二铟(In₂O₃)、三氧化二镓(Ga₂O₃)、二氧 化硅(SiO₂)及三氧化二铁(Fe₂O₃)。

7.如权利要求1所述的导电浆，其特征在于，其中所述无铅玻璃料进 一步包含一种或多种选自下列组成的群组的金属元素或其氧化物：磷(P)、 钡(Ba)、钠(Na)、镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、锶(Sr)、钨(W)、铝(Al)、锂(Li)、 钾(K)、锆(Zr)、钒(V)、硒(Se)、铁(Fe)、铟(In)、锰(Mn)、锡(Sn)、镍(Ni)、 锑(Sb)、银(Ag)、硅(Si)、铒(Er)、锗(Ge)、钛(Ti)、镓(Ga)、铈(Ce)、铌(Nb)、 钐(Sm)及镧(La)，其比例为所述无铅玻璃料的约0.1至约10重量％。

8.如权利要求1所述的导电浆，其特征在于，其中所述有机载体是包 含聚合物与溶剂的溶液。

9.如权利要求1所述的导电浆，其特征在于，其中所述有机载体进一 步包含一种或多种选自黏度调整剂、分散剂、触变剂及湿润剂组成的群组的 功能性添加剂。

10.一种制品，其特征在于，包含半导体基底，以及设置在所述半导体 基底上如权例要求1至9中任一项的导电浆。

11.如权利要求10所述的制品，其特征在于，进一步包含一个或多个 设置于所述半导体基底上的抗反射涂层，且所述导电浆与所述抗反射涂层接 触并与所述半导体基底电性接触。

12.如权利要求11所述的制品，其特征在于，其中所述制品为半导体 装置。

13.如权利要求12所述的制品，其特征在于，其中所述半导体装置为 太阳能电池。